[发明专利]薄膜电极及利用其制造的表面声波器件无效

专利信息
申请号: 01104546.9 申请日: 1997-01-20
公开(公告)号: CN1317875A 公开(公告)日: 2001-10-17
发明(设计)人: 中西秀文;桜井敦;小林真人;吉野幸夫 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H3/08
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 张政权
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄膜 电极 利用 制造 表面 声波 器件
【权利要求书】:

1.一种用于表面声波器件的薄膜电极,其特征在于包含:

在压电衬底上形成的非晶层;以及

在所述非晶层上形成的单晶层和取向层中至少一种。

2.一种表面声波器件,其特征在于包含:

压电衬底;

形成于压电衬底上的薄膜电极,所述电极具有如权利要求1所述的结构。

3.一种制造如权利要求1所述薄膜电极的方法,其特征在于包括以下步骤:

在压电衬底表面形成非晶层,与此同时用辅助离子束照射压电衬底表面;以及

用辅助离子束照射非晶层表面以在所述非晶层表面形成单晶层和取向层中至少一种。

4.一种制造如权利要求2所述表面声波器件的方法,其特征在于包括以下步骤:

在压电衬底表面形成非晶层,与此同时用辅助离子束照射压电衬底表面;以及

用辅助离子束照射非晶层表面以在所述非晶层表面形成单晶层和取向层中至少一种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01104546.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top