[发明专利]含钌金属的去除剂及其使用方法有效
| 申请号： | 01104252.4 | 申请日： | 2001-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1311351A | 公开（公告）日： | 2001-09-05 |
| 发明（设计）人： | 青木秀充;渡边香织;石川典夫;森清人 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;关东化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 去除 及其 使用方法 | ||
1．一种用于含钌金属的去除剂，包括(a)硝酸铈(Ⅳ)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。
2．如权利要求1所述的去除剂，用于去除粘附到半导体衬底上的含钌金属。
3．如权利要求1所述的去除剂，用于清洗其中含钌金属粘附到除器件形成区外的区域的半导体器件。
4．如权利要求2所述的去除剂，其中所述半导体衬底是硅衬底。
5．如权利要求3所述的去除剂，其中半导体衬底是硅衬底。
6．如权利要求1所述的去除剂，包括按质量计5-35％的成分(a)和1-30％的成分(b)。
7．如权利要求2所述的去除剂，包括按质量计5-35％的成分(a)和1-30％的成分(b)。
8．如权利要求3所述的去除剂，包括按质量计5-35％的成分(a)和1-30％的成分(b)。
9．一种用去除剂去除粘附到半导体衬底上的含钌金属的方法，所述去除剂包括：
(a)硝酸铈(Ⅳ)盐，和
(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。
10．一种用去除剂去除粘附到半导体衬底上除器件形成区外的区域中的含钌金属的方法，所述去除剂包括：
(a)硝酸铈(Ⅳ)盐和
(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。
11．一种使用含钌金属的去除剂的方法，其中利用权利要求1所述去除剂进行去除后，用至少含有氢氟酸、硝酸、高氯酸和草酸中的一种酸的液体清洗衬底，以去除残留去除剂。
12．一种使用含钌金属的去除剂的方法，其中利用权利要求2所述去除剂进行去除后，用至少含有氢氟酸、硝酸、高氯酸和草酸中的一种酸的液体清洗衬底，以去除残留去除剂。
13．一种使用含钌金属的去除剂的方法，其中利用权利要求3所述去除剂进行去除后，用至少含有氢氟酸、硝酸、高氯酸和草酸中的一种酸的液体清洗衬底，以去除残留去除剂。
14．一种去除含钌金属的方法，包括以下步骤：
在半导体衬底上，在器件形成区淀积钌膜；在旋转基本上水平的半导体衬底的同时，在半导体衬底的给定区域上，喷射含(a)硝酸铈(Ⅳ)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸的去除剂，从而去除粘附于除器件形成区外的区域上的含钌金属。
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