[发明专利]具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法

权利要求书

1、一种薄膜制造方法，其特征在于它包括下列步骤：

制作框架

制作成具有上表面、下表面及于中间设有镂空区域的框架；

固定第一覆盖层

将第一覆盖层固定于框架的下表面上，以将框架的镂空区域底部覆盖住；

设置薄膜

将待切割的薄膜设于框架的镂空区域内，并附著于第一覆盖层上；

切割薄膜

以切割刀具将薄膜切割成适当尺寸的薄膜片。

2、根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的薄膜黏设于第一覆盖层上。

3、根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于所述切割薄膜步骤中仅将薄膜切割至适深度，而第一覆盖层则未被切割，以使切割后的薄膜仍整体黏著于第一覆盖层上。

4、根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的切割薄膜前尚包括固定第二覆盖层，将第二覆盖层固定于框架上表面，以将镂空区域的上表面覆盖住，使位于镂空区域内的薄膜被第一覆盖层及第二覆盖层包覆住。

5、根据权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的薄膜黏设于第一覆盖层上的一面设有黏著剂。

6、根据权利要求4所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的薄膜被第二覆盖层包覆的一面设有藉以黏著于第二覆盖层上的黏著剂。

7、一种具有薄膜的堆叠半导体，它包括基板、具有上、下表面的下层半导体晶片、复数条导线及上层半导体晶片；基板具有分别形成讯号输入、输出端的第一、二表面；下层半导体晶片具有固定于基板第一表面的下表面及中央部位形成若干焊垫的上表面；复数条导线两端分别连接于下层半导体晶片焊垫及基板第一表面的讯号输入端；上层半导体晶片置于下层半导体晶片上表面并与其呈堆叠状；其特征在于所述的下层半导体晶片上表面两侧黏设有位于上、下层半导体晶片之间的两薄膜片。

8、根据权利要求7所述的具有薄膜的堆叠半导体，其特征在于所述的下层半导体晶片焊垫处涂敷有将上层半导体晶片黏著固定于下层半导体晶片上的黏著剂。

9、根据权利要求7所述的具有薄膜的堆叠半导体，其特征在于所述的上层半导体晶片与基板第一表面讯号输入端之间电连接有复数条导线。

10、根据权利要求7所述的具有薄膜的堆叠半导体，其特征在于所述的基板第一表面上设有包覆上、下层半导体晶片及复数条导线的封装层。