[发明专利]晶圆打线成形金属凸块封装结构及其制作方法无效

专利信息
申请号: 01104223.0 申请日: 2001-02-26
公开(公告)号: CN1372312A 公开(公告)日: 2002-10-02
发明(设计)人: 谢文乐;涂丰昌;黄富裕;庄永成;蒲志淳 申请(专利权)人: 华泰电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 刘领弟
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶圆打线 成形 金属 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1、一种晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于它包括如下步骤:

步骤一

黏焊金属导线

将合适的金属导线黏焊于金属垫上;以黏焊金属导线打线成球形成金属柱;

步骤二

成形金属凸块

将金属柱整平成形金属凸块;

步骤三

植锡球凸块

在金属凸块上植上锡球凸块。

2、根据权利要求1所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于所述的步骤一:金属导线直接黏焊于晶圆表层金属垫上。

3、根据权利要求1所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于所述的步骤一:金属导线黏焊于再次布设于晶圆表面线层的金属垫上。

4、根据权利要求1所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于所述的黏焊金属导线步骤与成形金属凸块步骤之间还设有包覆高分子材料层步骤,即于金属柱及晶圆原覆设的护层上再次覆设一层未完全熟化的高分子材料层,待其均匀覆设于金属柱及晶圆原覆设的护层表面后,再予以完全熟化。

5、根据权利要求4所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于所述的高分子材料应为具有热膨胀系数低、杨氏系数低、吸水性低、可渗透性低、黏着力高、低电介质常数、低电传导性等特性的材料和epoxycompound、photo-imagable polyimide或silicone elastomers。

6、根据权利要求4所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于所述的高分子材料包覆方法压模、点胶、旋转披覆、喷溅或印刷。

7、根据权利要求1所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于所述的黏焊金属导线步骤系以焊针往上移动扯断或截断金属导线,以打线成球形成与金属导线的种类、直径以及打线参数相对应的金属柱。

8、根据权利要求1所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构制作方法,其特征在于所述的成形金属凸块步骤与植锡球凸块步骤之间还设有以电镀或化学镀等金属沉积方式在金属凸块顶面制作下冶金层。

9、一种晶圆打线成形金属凸块封装结构,它包括依序固定于晶圆金属垫顶面的金属凸块及锡球凸块;其特征在于在所述的锡球凸块底部固设有下冶金层。

10、根据权利要求9所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构,其特征在于在所述的下冶金层与金属凸块之间设有由布设的线层形成的金属垫。

11、一种晶圆打线成形金属凸块封装结构,它包括依序固定于晶圆金属垫顶面的金属凸块及锡球凸块,并覆设有高分子材料层;其特征在于在所述的锡球凸块底部固设有下冶金层。

12、根据权利要求11所述的晶圆打线成形金属凸块封装结构,其特征在于在所述的下冶金层与金属凸块之间设有由布设的线层形成的金属垫。

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