[发明专利]用于制作具钽酸锶－铋基介质的存储电容器的方法无效
| 申请号： | 01104074.2 | 申请日： | 2001-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1311527A | 公开（公告）日： | 2001-09-05 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·巴赫霍费尔;瓦尔特·哈特纳;京特·申德勒;托马斯·彼得·哈内德尔;沃尔夫冈·赫恩莱因 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王仲贤 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制作 具钽酸锶 介质 存储 电容器 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种用于制作存储电容器的方法，所述存储电容器的介质由钽酸锶-铋基铁电层构成，具有如下步骤：
-制作第一电极层(1)；
-将一CeO2层(2)覆着在第一电极层(1)上，所述CeO2层的厚度＜5nm，尤其是约为1nm；
-将一基本非晶形的，含有SrBi2Ta2O9(SBT)或SrBi2(Ta,Nb)2O9(SBTN)或由所述材料构成的介质层(3)覆着在CeO2层(2)上；
-在590℃至620℃的范围内进行热处理，使介质层(3)结晶化；
-将第二电极层(4)覆着在介质层(3)上。
2．一种制作半导体器件的方法，其中
-在半导体基片上形成一开关晶体管，并且
-在开关晶体管上面根据权利要求1所述的方法形成存储电容器。
3．按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
-电极层(2、4)可以由铂族金属，尤其是铂、一种导电的铂族金属氧化物或另一种惰性的和导电的氧化物制成。
4．按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，
-介质层(3)的厚度为20-200nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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