[发明专利]阴极射线管的支承框架无效
申请号: | 01103995.7 | 申请日: | 2001-02-16 |
公开(公告)号: | CN1309410A | 公开(公告)日: | 2001-08-22 |
发明(设计)人: | 崔容熏;朴珍穆 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01J29/02 | 分类号: | H01J29/02;H01J29/07 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 顾红霞,朱登河 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阴极射线管 支承 框架 | ||
本发明涉及阴极射线管的支承框架,更具体地说,涉及这样一种支承框架,它能防止在支承框架成形过程中损坏支承框架周边的角部。
如图1所示,通常的阴极射线管包括作为前窗口组件的面板101;作为后表面窗口组件的与面板101联结的锥体102;安装在锥体102颈部内的用于发射电子的电子枪(未示出);被电子枪发射的电子束106所照射的荧光屏104;用于从荧光屏104挑选入射电子束的荫罩103;用于支承荫罩103的支承框架107;将支承框架107联结到面板101的弹簧108;以及安装在支承框架107上的内屏蔽罩109,该屏蔽罩用来执行屏蔽外地球磁场的功能以便减少来自外面地球磁场的影响。
通过向阴极射线管施加正电压,电子枪发射电子束106。电子束106与形成在面板101内表面上的荧光屏104相撞,在电子束106到达荧光屏之前,位于锥体102颈部的偏转线圈105使得电子束106向上、下、左、右偏转。
此外,磁体110设置在偏转线圈105的后部以便防止色纯度缺失(色纯度的异常性)。磁体110改变电子束的前进轨道以便电子束与荧光屏104的荧光物质准确相撞。
因为上述阴极射线管处于高真空状态,外面的碰撞容易引发爆炸。为了防止爆炸,在面板101的裙部安装加强带111,用于分散在高真空状态下的阴极射线管的应力,相应地也提高了抗振性能。
同时,在形成支承框架107过程中,如图2所示,当将荫罩103联结到支承框架107上时,为了提高工作效率,支承框架107的周边(长边,短边,对角部分)的外端向外延伸以便荫罩103的裙部与支承框架107的周边安装就位。
然而,在现有的阴极射线管中,为了使得荫罩103和支承框架组装更容易,如图3所示,当支承框架107的周边外端向外延伸时,支承框架107的周边角部由于应力作用容易损坏。
因此,本发明的目的是提供一种阴极射线管的支承框架,它能防止在支承框架成形时损坏支承框架周边的角部。
为了实现本发明的上述目的,本发明的阴极射线管的支承框架包括在支承框架周边的角部上表面上有若干切口。
附图中:
图1是普通阴极射线管的局部剖视图;
图2是现有技术中的阴极射线管的支承框架和荫罩联结的分解立体图;
图3图示在现有技术中的阴极射线管形成中支承框架周边的角部受到损坏;
图4是根据本发明的支承框架的局部示意图。
下面结合附图详细描述本发明的阴极射线管的支承框架的优选实施例。
下面仅描述本发明阴极射线管的特征,在此省略对与现有技术中的支承框架相同的构造的描述。
如图4所示,在本发明的阴极射线管支承框架中,在阴极射线管的支承框架周边的角部404的一定部位形成若干切口403a,403b。
更具体地说,从支承框架周边的角部404到支承框架长边401上的切口的距离是A;从支承框架长边401的中部到支承框架周边的角部404的距离是B;在支承框架405的成形中,支承框架长边401上的切口403a形成在A/B之比为0.10-0.16的位置上,以便有效分散集中在支承框架角部上的应力。相应地,本发明能防止支承框架周边的角部受到损伤。
此外,从支承框架的角部404到支承框架短边402上的切口403b的距离是C;从支承框架短边402的中部到支承框架周边的角部404的距离是D;支承框架短边402上的切口403b形成在C/D之比为0.08-0.18的位置上,以便有效分散集中在支承框架角部上的应力。相应地,本发明能防止支承框架周边的角部受到损伤。
另外,在具有上述的切口构造后,在阴极射线管使用过程中出现的支承框架热膨胀被角部的切口吸收,相应地,由于支承框架的热膨胀而拱起也能被减少。
此处,形成在支承框架的长边401上的切口403a的宽度W与从支承框架长边401的中部到支承框架周边的角部404的距离B之比,即:W/B=0.02-0.04。形成在支承框架的短边402上的切口403b的宽度W′与从支承框架短边402的中部到支承框架周边的角部404的距离D之比,即:W′/D=0.02-0.06以便切口403a、403b的宽度相应地能达到最优化。
此外,形成在支承框架长边401上的切口403a的深度为d,当支承框架长边401的中部高度为E,h=E-d,支承框架周边的角部404的高度是H,d与H之比设定为:d/H=0.05-0.20;h与E之比设定为h/E=0.60-0.70,以便切口403a的深度能达到最优化。
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