[发明专利]曝光方法及装置、曝光装置的制造方法以及器件制造方法

说明书

本发明涉及到如在用于制造半导体元件、液晶显示元件、等离子显示元件或薄膜磁头等器件的印刷工序中将掩模图形转印到基板上时使用的曝光方法及其装置、以及与之关连的技术。

对制造半导体元件等时使用的汇总曝光型(逐次移动型)、或扫描曝光型(分步扫描方式等)曝光装置，要求其有很高的曝光精度。因此，在曝光装置中，对确定作为掩模的线网的位置的线网载置台系统、以及二维移动作为基板的晶片的晶片载置台系统，必须分别采用能高精度地确定位置以及能高精度地进行扫描的构成。以往的线网载置台系统以及晶片载置台系统相对于确定的框架机构是顺序地直接安装的。

而在最近的曝光装置中，正陆续使用用于进一步提高解像度的比KrF准分子激光器(波长248nm)波长更短的ArF准分子激光器(波长193nm)作为曝光光束，同时，还在探讨使用更短波长的F2激光(波长157nm)光等。但是，由于在普通的空气(特别是氧气)中这些波长200nm以下的真空紫外光(VUV光)的吸收率很高，故在使用该真空紫外光作为曝光光束时，需要分别按各载置台室(子室)密闭各个载置台系统，并对这些载置台室内供给氮气、氦气这样的对真空紫外光具有高透过率的气体，或进一步将这些载置台室内部的曝光光束的光路抽成近似真空。此点对投影光学系统内部相邻透镜间的空间也完全一样。因此，在以真空紫外光为曝光光束来使用的曝光装置中，在相对于框架机构安装投影光学系统、进而顺序安装好各个载置台系统后，需要安装相应的载置台室以包围各个载置台系统保持其气密性。

使用上述的例如以真空紫外光作为曝光光束的曝光装置，在相对于框架机构顺序安装好投影光学系统及各个载置台系统后，通过安装用于保持气密性的载置台室来完成装置。但是，在如此相对于一个框架机构顺序安装各载置台系统以及载置台室等的方法中，由于安装调整需要时间，同时，还需要长时间地调整各载置台系统与投影光学系统之间的相对位置，故存在曝光装置的制造成本上升之类的问题。此外，在这样地相对于一个框架机构顺序安装各载置台系统或载置台室等的方法中，还存在进行曝光装置的维护时调整工序复杂进而导致维护时间及成本增大之类的问题。

进而，在向各载置台室等的内部供给对于曝光光束有高透过率的气体的构成中，在容易进行曝光装置的安装调整的情况下，存在该高透过率气体的泄漏量大，进而使曝光光束光路上的其气体的浓度下降，导致被曝光的基板上的曝光光束强度低下的问题。而当该高透过率的气体是象氦气这样的高价气体时，为压低运转成本必须尽可能地有效利用其气体。

而在扫描曝光型的曝光装置中，在力求易于安装调整曝光装置的同时，还特别追求提高曝光工序的生产效率。关于此点，在同步移动作为掩模的线网和作为基板的晶片并进行扫描曝光时，要分别在线网载置台和晶片载置台上进行加速、以一定的速度(扫描速度)移动以及减速。并且，要提高该扫描曝光动作的生产效率，以往单纯地认为扫描速度是越高越好。但是，由于如果提高扫描速度则必须要加长加速时间以及减速时间，所以，有些情况光靠单纯地提高扫描速度并不一定就能获得高的生产效率。

鉴于上述所涉及的各点，本发明以提供载置台系统等的安装调整容易的曝光方法及其装置作为第1目的。

本发明第2目的是提供载置台系统等的安装调整容易的同时，对在曝光光束光路的至少一部上供给透过该曝光光束的气体的情况，也能有效地利用其气体并在该光路上高度地维持其气体的浓度的曝光方法及其装置。

本发明第3目的是提供载置台系统等的安装调整容易的同时，还能够简单准确地测量各部分的位置关系的曝光方法及其装置。

此外，提供在进行扫描曝光时能够提高生产效率的曝光方法及其装置也是本发明的目的之一。

进而，本发明的目的还有：

提供上述这样的曝光装置的有效的制造方法以及能够使用该曝光装置低成本、高生产效率地制造各种元器件的元器件制造方法；

提供可在曝光装置上自由装拆地安装的载置台组件。

按照本发明的第1方案，提供利用曝光光束经由第1物体(R1)曝光第2物体(W1)的曝光装置，该曝光装置具有：

框架(32～37)；

收纳保持并移动上述第1物体的第1载置台系统，同时又相对于上述框架可自由装拆地安装的第1载置台室(23)；

收纳保持并移动上述第2物体的第2载置台系统(WST)，同时又相对于上述框架可自由装拆安装的第2载置台室(38)。