[发明专利]沟槽隔离区的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽隔离区的制作方法，其特征在于，它至少包括：

提供一硅基材；

沉积一第一介电材质层在该硅基材上；

以微影及蚀刻技术限定一隔离区；

沉积一第一绝缘材质层在具有该隔离区的该硅基材上；

进行非等向性蚀刻，以在该隔离区两侧形成一间隔壁；

沉积一垫氧化层在具有含该间隔壁的该隔离区的该硅基材上；

沉积一氮化硅层在该垫氧化层上；

覆盖一光罩在该氮化硅层上，进行该隔离区的非等向性蚀刻，以形成一沟槽隔离区；

沉积一第二介电材质层在该整个硅基材上，借此将该第二介电材质填入该沟槽隔离区内，以作为该沟槽隔离区内的一绝缘材质；

使用化学机械研磨法将该第二介电材质层磨平坦；及

除去该垫氧化层及该氮化硅层，而形成一具有缓和交界角的沟槽隔离区结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一介电材质层选自下列的材质：TEOS、具有TEOS的氮化硅、硼磷硅玻璃或经氧化的多晶硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第二介电材质层选自下列的材质：TEOS、具有TEOS的氮化硅、硼磷硅玻璃及经氧化的多晶硅。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第二介电材质层包含O₃-TEOS。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的第二介电材质层的O₃-TEOS是在温度400至480℃下形成，并在温度950至1050℃下进行热处理步骤约30至130分钟。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的间隔壁是采用部份间隔壁干蚀刻法形成。

7.一种沟槽隔离区的制作方法，它至少包括：

提供一硅基材；

沉积一第一垫氧化层在该硅基材上；

沉积一第一氮化硅层在该一垫氧化层上；

以微影及蚀刻技术限定一隔离区；

沉积一第一介电材质层在具有该隔离区的该硅基材上；

进行非等向性蚀刻，以在该隔离区两侧形成一间隔壁；

沉积一第二垫氧化层在具有含该间隔壁的该隔离区的该硅基材上；

沉积一第二氮化硅层在该第二垫氧化层上；

覆盖一光罩在该第二氮化硅层上，进行该隔离区的非等向性蚀刻，以形成一沟槽隔离区；

沉积一第二介电材质层在该整个硅基材上，借此将该第二介电材质填入该沟槽隔离区内，以作为该沟槽隔离区的一绝缘材质；及

使用化学机械研磨法将该第二介电材质层平坦化；

除去该第二垫氧化层及第二氮化硅层，而形成一具有缓和交界角的沟槽隔离区结构。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的第一垫氧化层包含二氧化硅。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的第一垫氧化层是在温度约800~1100℃下，在含氧气体环境中，以热氧化法形成。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的间隔壁是采用部份间隔壁干蚀刻法形成。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的二垫氧化层包含二氧化硅。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的二垫氧化层是在温度约800~1100℃下，在含氧气体环境中，以热氧化法形成。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的第一介电材质层选自下列的材质：TEOS、具有TEOS的氮化硅、硼磷硅玻璃或经氧化的多晶硅。

14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的第二介电材质层选自下列的材质：TEOS、具有TEOS的氮化硅、硼磷硅玻璃或经氧化的多晶硅。

15.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的第二介电材质层包含O₃-TEOS。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的第二介电材质层的O₃-TEOS是在温度400至480℃下形成，并在温度950至1050℃下，进行热处理步骤约30至130分钟。