[发明专利]磁复录方法和磁复录装置无效
| 申请号: | 01100243.3 | 申请日: | 2001-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN1363926A | 公开(公告)日: | 2002-08-14 |
| 发明(设计)人: | 小松和则;长尾信;西川正一 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | G11B5/00 | 分类号: | G11B5/00;G11B5/86 |
| 代理公司: | 北京北新智诚专利代理有限公司 | 代理人: | 徐宁 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁复录 方法 装置 | ||
1、一种磁复录方法,其特征在于:在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录方法中,包括在从属介质上面或下面,至少一个面上,以磁极轴与从属介质面平行的方式,配置具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁,沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁,通过沿从属介质面的磁道方向施加磁场,预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后,将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触,沿与从属介质面初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场,进行磁复录。
2、一种磁复录方法,其特征在于:在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录方法中,包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场,预先沿磁道方向将从属介质进行初期直流磁化后,将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触,在从属介质上面或下面,至少一个面上,以磁极轴与从属介质面平行的方式,配置具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁,沿磁道方向旋转永久磁铁或和磁复录用主载体紧密接触的从属介质,沿与初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场,进行磁复录。
3、根据权利要求1所述的磁复录方法,其特征在于:在从属介质上面或下面,至少一个面上,以磁极轴与从属介质面平行的方式,配置具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁,此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布,在磁道方向位置上,至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。
4、根据权利要求1所述的磁复录方法,其特征在于:在从属介质上面或下面,至少一个面上,以磁极轴与从属介质面平行的方式,配置具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁,此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布,在磁道方向位置上,仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分,而在任何一个磁道方向位置上,反方向的磁场强度都低于从属介质的保磁力Hcs。
5、根据权利要求2所述的磁复录方法,其特征在于:在从属介质上面或下面,至少一个面上,以磁极轴与从属介质面平行的方式,配置具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁,此时产生磁场在磁道方向上的磁场强度分布,在任何一个磁道方向位置上,都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度,而在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分,在任何一个磁道方向位置上,与其相反磁道方向上的磁场强度都低于最适宜复录磁场强度范围的最小值。
6、根据权利要求5所述的磁复录方法,其特征在于:相对于从属介质的保磁力Hcs,最适宜复录的磁场强度为0.6×hcs~1.3×Hcs。
7、一种磁复录装置,其特征在于:在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录装置中,包括在从属介质上面或下面,至少一个面上,以磁极轴与从属介质面平行的方式,配置具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁,沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁,通过沿从属介质面的磁道方向施加磁场,预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置,将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置,沿与从属介质面初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。
8、一种磁复录装置,其特征在于:在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录装置中,包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场,预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置,将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置,在从属介质上面或下面,至少一个面上,以磁极轴与从属介质面平行的方式,配置具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁,沿磁道方向旋转永久磁铁或将磁复录用主载体和从属介质紧密接触的紧密接触体,沿与初期直流磁化方向相反的磁道方向上施加复录用磁场的复录磁场施加装置。
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