[发明专利]磁复录方法和磁复录装置

权利要求书

1.一种磁复录方法，特征是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，包括沿从属介质的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，再将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。

2.根据权利要示1记载的磁复录方法，特征是磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcm在47.7KA/m(600Oe)以下。

3.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是接受复录的从属介质保磁力Hcs在143KA/m(1800Oe)以上。

4.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在从属介质上沿磁道方向施加磁场形成初期直流磁化的方向和为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上是相反的方向。

5.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在磁道方向的一部分上产生在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分的磁场强度分布磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

6.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在磁道方向位置上仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何一个磁道方向位置上反方向磁场强度低于从属介质保磁力Hcs的磁场强度分布磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

7.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在任何一个磁道方向上都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何一个磁道方向位置与其反方向磁道方向的磁场强度低于最适宜复录磁场强度范围最小值的磁场强度分布磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向放置磁场，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

8.根据权利要求5记载的磁复录方法，特征是在从属介质上面或下面的一面上，沿磁极轴垂直方向配置永久磁铁，沿磁道方向施加与磁极轴对称磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁场，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。

9.根据权利要求6记载的磁复录方法，特征是以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，沿磁道方向形成非对称的磁场强度分布，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。

10.根据权得要求7记载的磁复录方法，特征是以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，沿磁道方向形成非对称的磁场强度分布，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁场，施加磁道方向的复录用磁场，进行磁复录。

11.根据权利要求7或10记载的磁复录方法，特征是相对于从属保磁力Hcs，最适宜复录磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

12.一种磁复录装置，特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。

13.根据权利要求12记载的磁复录装置，特征是磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcm在47.7KA/m(600Oe)以下。

14.根据权利要求12记载的磁复录装置，特征是接受复录的从属介质保磁力Hcs在143KA/m(1800Oe)以上。

15.根据权利要求12记载的磁复录装置，其特征是在从属介质上施加磁道方向磁场的形成初期直流磁化的方向和为进行磁复录施加的复录用磁场，在从属介质面上为相反方向。