[发明专利]用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO2－x薄膜的方法及其应用有效
| 申请号： | 00817704.X | 申请日： | 2000-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1413269A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 黄楠;杨萍;冷永祥;陈俊英;孙鸿;王进;万国江 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;A61L27/02;A61F2/24;A61M1/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 中国四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 浸没 离子 注入 方法 材料 表面 形成 tio2 薄膜 及其 应用 | ||
【说明书】：
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