[发明专利]以软编程来紧缩VT分布的斜坡栅技术

权利要求书

1.一种在内存装置中紧缩门限电压分布曲线的方法，此内存装置包括多个内存存储单元，每个存储单元具有源极、漏极、浮栅以及控制栅，其中该存储单元构成行与列，以行为字线而以列为位线，该方法包括下列步骤：

施加软编程电压至选定的存储单元的漏极、源极及控制栅，其中该软编程电压如下：

小于5伏的电压，施加至选定存储单元的漏极；

小于0伏的电压，施加至选定存储单元的基底；

小于3伏的斜坡电压，施加至选定存储单元的控制栅。

2.如权利要求1的方法，其中选择软编程电压以利用热载流子注入机制。

3.如权利要求2的方法，其中该斜坡控制栅电压的初始电压小于最少被擦除的存储单元的门限电压。

4.如权利要求3的方法，其中在少于10微秒范围的时间周期内将软编程电压加到被软编程的存储单元。

5.如权利要求4的方法，其中将软编程电压加到被软编程的存储单元，使门限电压分布的最大宽度减小到小于2伏。

6.如权利要求1的方法，进一步包括在施加该软编程电压之前，校验在该内存装置中的所有存储单元均已完成擦除。

7.如权利要求6的方法，进一步包括在施加该软编程电压之前，校验在该内存装置中的所有存储单元均已完成擦除过度校正。

8.一种快速电可擦除可编程只读内存(EEPROM)，包括：

多个内存存储单元，每一个存储单元具有漏极、源极、浮栅、控制栅及基底；

一个电源，用以施加电压至选定存储单元的漏极、源极、基底及控制栅；

一个控制器，用以控制电源施加软编程电压至选定内存存储单元的漏极、源极、基底及控制栅，其中该电源施加小于5伏的软编程电压至选定存储单元的漏极、施加小于0伏的软编程电压至选定存储单元的基底、施加小于3伏的斜坡电压至选定存储单元的控制栅。

9.如权利要求8的内存，其中该控制器控制电源施加软编程电压以利用热载流子注入机制。

10.如权利要求9的内存，其中该控制器控制电源以施加斜坡电压至控制栅，该控制栅具有小于最少被擦除存储单元门限电压的初始电压。

11.如权利要求10的内存，其中该控制器控制电源施加小于10微秒范围时间周期的软编程电压。