[发明专利]高介电常数的金属氧化物薄膜

权利要求书

1.一种含有非铁电的高介电常数绝缘体的集成电路，所述绝缘体包括选自以下的金属氧化物薄膜：钨-青铜-型氧化物、烧绿石-型氧化物、以及中间层氧化物与选自以下的氧化物的组合：钙钛矿-型氧化物和烧绿石-型氧化物。

2.如权利要求1的集成电路，其中所述中间层氧化物含有选自以下的金属：Bi、Sc、Y、La、Sb、Cr和Tl。

3.如权利要求2的集成电路，其中所述中间层氧化物是Bi₂O₃。

4.如权利要求1的集成电路，其中所述金属氧化物是具有通式AB₂O₆的钨-青铜-型氧化物，其中A代表选自以下金属的A-位原子：Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La；并且B代表选自以下金属的B-位原子：Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。

5.如权利要求4的集成电路，其中所述钨-青铜-型氧化物具有通式(Ba_xSr_1-x)(Ta_yNb_1-y)₂O₆，其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。

6.如权利要求4的集成电路，其中所述钨-青铜-型氧化物具有化学计量式(Ba_xSr_1-x)Ta₂O₆，其中0≤x≤1.0。

7.如权利要求6的集成电路，其中x的值为约0.8。

8.如权利要求1的集成电路，其中所述金属氧化物是具有通式A₂B₂O₇的烧绿石-型氧化物，其中A代表选自以下金属的A-位原子：Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La；并且B代表选自以下金属的B-位原子：Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。

9.如权利要求8的集成电路，其中所述烧绿石-型氧化物具有通式(Ba_xSr_1-x)₂(Ta_yNb_1-y)₂O₇，其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。

10.如权利要求8的集成电路，其中所述烧绿石-型氧化物具有通式(Ba_xSr_1-x)₂Ta₂O₇，其中0≤x≤1.0。

11.如权利要求10的集成电路，其中0≤x≤0.6。

12.如权利要求1的集成电路，其中所述金属氧化物是Bi₂O₃与具有通式A₂B₂O₇的烧绿石-型氧化物的组合，其中A代表选自以下金属的A-位原子：Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La；并且B代表选自以下金属的B-位原子：Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。

13.如权利要求12的集成电路，其中所述烧绿石-型氧化物具有通式(Ba_xSr_1-x)₂(Ta_yNb_1-y)₂O₇，其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。

14.如权利要求12的集成电路，其中所述烧绿石-型氧化物具有通式(Ba_xSr_1-x)₂Ta₂O₇，其中0≤x≤1.0。

15.如权利要求1的集成电路，其中所述薄膜的厚度为1nm-500nm。

16.如权利要求1的集成电路，还包括第一电极和第二电极，所述薄膜位于所述第一电极和第二电极之间。

17.如权利要求1的集成电路，其中所述薄膜是部分存储单元。