[发明专利]制备共晶陶瓷的方法

权利要求书

1.一种制备烧结共晶陶瓷的方法，包括允许共晶陶瓷粉末作为原料，使用火花等离子体烧结设备在5-100Mpa的压力下于真空或非氧化性气氛中在500-2000℃的温度下保持1-120分钟，从而使晶体生长。

2.一种制备含有稀土铝化合物的共晶烧结体的方法，包括允许氧化铝和稀土铝化合物的共晶粉末，使用火花等离子体烧结设备在5-100Mpa的压力下于真空或非氧化性气氛中在1300-1700℃的温度下保持1-120分钟，从而使晶体生长，以获得稀土铝共晶结构的烧结体。

3.根据权利要求1或2的方法，其中用作初始粉末材料的共晶粉末是一种选自Al₂O₃和Ln₃Al₅O₁₂、Al₂O₃和LnAlO₃、Ln₂O₃和Ln₂Al₅O₁₂、Ln₂O₃和LnAlO₃、以及Ln₂O₃和Ln₄Al₂O₉的氧化铝-稀土铝化合物的共晶粉末，或是一种选自MgAl₂O₄-LnAlO₃、MgO-Al₂O₃、MgO-CaO、Al₂O₃-Nb₂O₅、CaO-Al₂O₃、Al₂O₃-ZrO₂、B₄C-SiC、B₄C-TiB₂、B₄C-YB₆、PbO-Fe₂O₃、PbO-Nb₂O₅、PbO-V₂O₅、PbO-GeO₂、BaO-WO₃、V₂O₅-BaO、Bi₂O₃-GeO₂、V₂O₅-ZnO、PbO-WO₃、PbO-ZnO、Bi₂O₃-Fe₂O₃、V₂O₅-Cr₂O₃、Li₂WO₄-WO₃、V₂O₅-MnO、V₂O₅-NiO、V₂O₅-CuO、Bi₂O₃-Al₂O₃、V₂O₅-CaO、Bi₂O₃-Mn₂O₃、Bi₂O₃-TiO₂、CaO-WO₃、SrO-WO₃、MgO-WO₃、Fe₂O₃-Ln₂O₃和Nb₂O₃-Bi₂O₃的共晶陶瓷粉末。

4.根据权利要求2的方法，其中的稀土铝共晶体是一种选自Al₂O₃-Ln₃Al₅O₁₂共晶体、Al₂O₃-LnAlO₃共晶体、Ln₂O₃-Ln₃Al₅O₁₂共晶体、Ln₂O₃-LnAlO₃共晶体、Ln₂O₃-Ln₄Al₂O₉共晶体、MgAl₂O₄-LnAlO₃共晶体、MgO-Al₂O₃共晶体、MgO-CaO共晶体、Al₂O₃-Nb₂O₅共晶体、CaO-Al₂O₃共晶体、和Al₂O₃-ZrO₂共晶体的共晶体。