[发明专利]对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置

权利要求书

1.一种用于对半导体工件的表面进行电镀和抛光的装置，包括：

具有用于对工件表面进行电镀的电镀设备的第一腔；

具有用于对工件表面进行抛光的抛光设备的第二腔；以及

分隔第一腔和第二腔的隔离物。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，电镀设备包括一个安装到柱状阳极上的衬垫。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，柱状阳极可以绕着第一轴转动。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，电镀设备包括一个安装在第一腔底侧附近处的阳极板。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，抛光设备包括一个安装在一柱状阳极上的衬垫。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，柱状阳极可以绕着第一轴转动。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述抛光设备包括一个化学机械抛光设备。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述的化学机械抛光设备包括一个安装在一柱状辊子上的衬垫。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述的柱状辊子可以绕着第一轴转动。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置还包括盛放在第一和第二腔中的电解质溶液。

11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置还包括一个在电镀和抛光过程中支撑工件的攻击支撑，该工件支撑可以绕着第二轴转动并可以侧向移动。

12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，工件包括晶片、平面平台和磁性薄膜头之一。

13.一种对半导体工件的表面进行电镀和抛光的方法，该方法包括下述步骤：

使用工件表面上的电解质溶液将导电材料电镀到工件的表面，其中工件位于一阳极附近；和

当不再进行电镀的一定时间内对工件表面进行抛光。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，电镀步骤在第一腔中进行，而抛光步骤在第二腔中进行。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，其一腔和第二腔被一隔离物分隔。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，电镀步骤使用刷镀和电化学机械沉积之一进行。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，抛光步骤使用电解抛光和化学机械抛光之一进行。

18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，电镀步骤在抛光步骤之前进行。

19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，工件是晶片、平面平台和磁性薄膜头之一。

20.一个用于对半导体工件进行电镀和抛光的衬垫组件，包括：

一个具有外表面的柱状阳极；

多个安装到柱状阳极上并从该柱状阳极的外表面上突出的衬垫条。

21.根据权利要求20所述的衬垫组件，其特征在于，所述的柱状阳极可以绕着第一轴转动。

22.根据权利要求20所述的衬垫组件，其特征在于，当衬垫条与工件不接触时进行电镀操作，而当衬垫条与工件接触时进行抛光操作。

23.根据权利要求20所述的衬垫组件，其特征在于，工件是晶片、平面平台和磁性薄膜头之一。

24.一个用于对半导体工件进行电镀和抛光的衬垫组件，包括：

一个具有顶表面的圆形或环形阳极；

多个安装到阳极顶面上并从该阳极的顶面上突出的衬垫条。

25.根据权利要求24所述的衬垫组件，其特征在于，所述的阳极可以绕着第一轴转动。

26.根据权利要求24所述的衬垫组件，其特征在于，当衬垫条与工件不接触时进行电镀操作，而当衬垫条与工件接触使进行抛光操作。

27.根据权利要求24所述的衬垫组件，其特征在于，工件是晶片、平面平台和磁性薄膜头之一。