[发明专利]金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器

权利要求书

1.金属层结构化方法，具有以下步骤：

—在衬底(9)上产生一结构化层(10)，其中，结构化层(10)具有一个预结构化基层区(11)以及一个侧向包围基层区(11)的由硅，尤其是由多晶硅构成的隐埋层区(12)；

—把金属层(14)沉积到结构化层(10)上；

—对金属层(14)硅化至少在处于隐埋层区(12)内的段(18)，使得在那里形成金属硅化物层段(18)；

—氧化处在隐埋层区(12)的金属硅化层段(18)，其中它向结构化层(10)的隐埋层区(12)内移动，使得至少金属区域(19)留在基层区(11)上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征为，

在基层区(11)内，形成接触金属层(14)的、由金属尤其是由钨构成的导电引线结构(16)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征为，

—在基层区(11)上形成接触金属层(14)的、由硅，尤其是由多晶硅构成的导电引线结构(16)，以及

—在引线结构(16)和金属区域(19)之间淀积导电壁垒层用于防止通过引线结构(16)金属区域(19)硅化，以及防止引线结构(16)的氧化。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征为，

在基层区(11)上的区域里在淀积的金属层(14)上以及至少在稍后提供金属层(14)硅化处，产生氧化掩模(15)用于防止这类硅化的金属层区域的氧化。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征为，

结构化层(10)的隐埋层区(12)至少形成为金属层(14)厚度的一倍。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征为，

金属层(14)由铂或铱构成。

7.金属硅化物层的结构化方法，具有步骤：

—在衬底(9)上产生结构化层(10)，其中，结构化层(10)具有预结构化的基层区(11)和侧向包围基层区(11)的、由硅，尤其由多晶硅构成的隐埋层区(12)；

—在结构化层(10)上产生金属硅化层(114)；

—至少在隐埋层区(12)的一段(118)内氧化金属硅化层(114)，使得在那里金属硅化层(114)移入结构化层(10)的隐埋层区(12)内，其中，至少涉及基层区(11)的相同结构的金属硅化物区域(119)留在基层区(11)上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征为，

金属硅化物层(114)通过相应的金属硅化物的直接淀积，尤其是通过金属硅化物靶的溅射产生。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征为，

金属硅化物层(114)通过交替地淀积金属层和硅层以及随后的退火工艺产生。

10.根据权利要求7到9之一所述的方法，其特征为，

氧化掩模(115)淀积到基层区(11)之上区域内的金属硅化物层(114)上。

11.根据权利要求7到10之一所述的方法，其特征为，

结构化层(10)的隐埋层区(12)比金属硅化物层(114)厚，尤其是约为金属硅化物层(114)厚度的一倍。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征为，

至少重新除去，在金属区域(19)的侧壁区域内，或金属硅化物区域(119)内，在氧化时在隐埋的金属硅化物层段(18，118)上隐埋层区(12)内形成的氧化物层。

13.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征为，

至少在金属区域(19)或在金属硅化物区域(119)上淀积含金属氧化物的层，用于形成具有铁电特性或高ε介电体的电容器。

14.在具有由金属和/或金属硅化物构成的基极(19，119)的集成半导体电路内的高ε介电体电容器或铁电体电容器，其特征为，

—电容器的基极(19，119)建立在结构化层(10)上，该层在基极(19，119)之下具有基层区(11)，并且与其邻接具有侧向处于基极(19，119)的轮廓外的、由Si，尤其是多晶硅构成的隐埋层区(12)，以及

—在隐埋层区(12)内包含在基极(19，119)结构化时在那里隐埋的金属硅化物层段(18，118)。