[发明专利]平板固态光源无效
| 申请号: | 00806278.1 | 申请日: | 2000-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN1347569A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
| 发明(设计)人: | 高山彻;马场孝明 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国平 |
| 地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平板 固态 光源 | ||
1、一种发光二极管,包括:
一块基板;
布置在一部分基板上的、具有第一导电类型的第一包复层,该包复层具有一个上表面;
布置在第一包复层至少一部分上表面上的、具有一厚度的活性层;
布置在活性层上的、具有第二导电类型的第二包复层,第一包复层、活性层以及第二包复层形成一条隆脊,并且一部分活性层暴露在隆脊的一侧;
与第一包复层导电相连的第一电极;以及
与第二包复层导电相连的第二电极。
2、一种形成具有预定形状的发光二极管的方法,包括:
提供一块基板;
在至少一部分基板上形成具有第一导电类型的第一包复层;
在至少一部分第一包复层上形成活性层;
在至少一部分活性层上形成具有第二导电类型的第二包复层;以及
将包复层和活性层的一部分去掉从而在一部分基板上形成预定形状的隆脊结构。
3、一种半导体结构,包括:
一块基板;
布置在至少一部分基板上的、具有第一导电类型的第一导电层;
布置在第一导电层至少一部分上的活性层;
布置在至少一部分活性层上的、具有第二导电类型的第二导电层,其中第一导电层、活性层以及第二导电层一起相对于基板形成一条隆脊,其中一部分活性层暴露在隆脊的一侧;
一个与第一导电层导电相连的第一电极;以及一个与第二导电层导电相连的第二电极。
4、如权利要求3所述的一种半导体设备,其中第二电极布置在第导电层上并基本盖住第二导电层。
5、一种半导体结构的加工方法,该方法包括以下步骤:
在至少一部分基板上形成具有第一导电类型的第一导电层;
在至少一部分第一导电层上形成活性层;
在至少一部分活性层上形成具有第二导电类型的第二导电层;以及
将第一、第二导电层和活性层的一部分去掉从而在一部分基板上形成预定形状的隆脊结构。
6、一种半导体结构,包括:
一块导电基板;
布置在至少一部分基板上的、具有第一导电类型的第一导电层;
布置在第一导电层至少一部分上的活性层;
布置在至少一部分活性层上的、具有第二导电类型的第二导电层,其中第一导电层、活性层以及第二导电层一起相对于导电基板形成一条隆脊,并且其中一部分活性层暴露在隆脊的一侧;
一个与第一导电基板导电相连的第一电极;以及
一个与第二导电层导电相连的第二电极。
7、一种发光半导体结构,包括:
一块基板;
布置在至少一部分基板上的、具有第一导电类型的第一导电层;
布置在第一导电层至少一部分上的活性层;
布置在至少一部分活性层上的、具有第二导电类型的第二导电层,其中第一导电层、活性层以及第二导电层一起相对于基板形成第一、第二非交叉隆脊,并且其中一部分活性层暴露在第一、第二非交叉隆脊的相邻侧;
一个与第一导电层导电相连的第一电极;以及一个与第二导电层导电相连的第二电极。
8、如权利要求5所述的一种发光半导体结构,进一步包括:在第一、第二非交叉隆脊之间布置的原料磷。
9、一种发光半导体结构,包括:
一块基板;
布置在至少一部分基板上的、具有第一导电类型的第一导电层;
布置在第一导电层至少一部分上的活性层;
布置在至少一部分活性层上的、具有第二导电类型的第二导电层,其中第一导电层、活性层以及第二导电层一起相对于基板形成第一、第二非交叉隆脊,这里一部分活性层暴露在第一、第二非交叉隆脊的相邻侧,并且形成第一非交叉隆脊的第二导电层的第一部分与形成第二非交叉隆脊的第二导电层的第二部分绝缘;
一个与第一导电层导电相连的第一电极;
一个与第二导电层第一部分导电相连的第二电极;以及
一个与第二导电层第二部分导电相连的第三电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





