[发明专利]利用液相氟化制备含氟化合物的方法有效

专利信息
申请号: 00805476.2 申请日: 2000-03-23
公开(公告)号: CN1345298A 公开(公告)日: 2002-04-17
发明(设计)人: 冈添隆;渡边邦夫;立松伸;室伏英伸 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: C07C51/58 分类号: C07C51/58;C07C59/135;C07C53/50;C07C69/63;C07C69/708;C07D317/16;C07D317/42;//C07C67/307C08F16/24
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 章鸣玉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 利用 氟化 制备 方法
【权利要求书】:

1.含氟化合物的制备方法,其特征在于,使以下化合物(I)和以下化合物(II)反应生成以下化合物(III),然后在液相中使化合物(III)氟化生成以下化合物(IV),再使化合物(IV)转变为以下化合物(V)及/或以下化合物(VI),

RA-E1(I)

RB-E2(II)

RA-E-RB(III)

RAF-EF-RBF(IV)

RAF-EF1(V)

RBF-EF2(VI)其中,RA和RB表示分别独立的1价饱和烃基、卤代1价饱和烃基、含有杂原子的1价饱和烃基、卤代(含有杂原子的1价饱和烃基)基、或通过液相中的氟化反应可获得RHF的1价有机基团(RH),

RHF:选自1价饱和烃基、部分卤代的1价饱和烃基、含有杂原子的1价饱和烃基、部分卤代(含有杂原子的1价饱和烃基)基的基团中的至少1个氢原子被氟原子取代的基团,

RAF、RBF:RAF是和RA相对应的基团,RBF是和RB相对应的基团,RA及RB分别表示1价饱和烃基、卤代1价饱和烃基、含有杂原子的1价饱和烃基或卤代(含有杂原子的1价饱和烃基)基时的RAF和RBF分别与RA及RB相同,或表示RA及RB中的至少1个氢原子被氟原子取代的基团,RA及RB为1价有机基团(RH)时的RAF和RBF分别为RHF

E1、E2:互相反应可形成2价连结基团(E)的反应性基团,

E:E1和E2反应而形成的2价连结基团,

EF:与E相同的基团或使E氟化而获得的基团,RAF、RBF及EF中的至少1个是不与对应的RA、RB及E相同的基团,

EF1、EF2:分别独立的EF被切断而形成的基团。

2.如权利要求1所述的制备方法,其中,化合物(I)中的氟含量不足10质量%,且化合物(III)的氟含量在10质量%以上。

3.如权利要求1或2所述的制备方法,其中,化合物(III)的分子量为200~1000。

4.如权利要求1~3的任一项所述的制备方法,其中,化合物(III)的氟含量为10~86质量%。

5.如权利要求1~4的任一项所述的制备方法,其中,RB为RBF

6.如权利要求1~5的任一项所述的制备方法,其中,RAF及RBF分别为全氟1价饱和烃基、全氟(部分卤代的1价饱和烃基)基、全氟(含有杂原子的1价饱和烃基)基、或全氟[部分卤代(含有杂原子的1价饱和烃基)]基。

7.如权利要求1~6的任一项所述的制备方法,其中,化合物(V)和化合物(VI)的结构相同。

8.如权利要求1~6的任一项所述的制备方法,其中,化合物(II)和化合物(VI)的结构相同。

9.如权利要求1~6的任一项所述的制备方法,其中,化合物(V)和化合物(VI)的结构相同,且和化合物(II)的结构相同。

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