[发明专利]在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂无效
| 申请号： | 00805047.3 | 申请日： | 2000-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1166822C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | R·J·飞利普斯;S·J·克勒特尼尔;J·D·赫德尔 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体生长 过程 使用 硅熔体 掺杂 | ||
【说明书】：
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