[发明专利]不满填充受控折叠芯片连接(C4)集成电路封装的生产流水线无效
申请号: | 00804565.8 | 申请日: | 2000-02-08 |
公开(公告)号: | CN1344424A | 公开(公告)日: | 2002-04-10 |
发明(设计)人: | D·库克;S·拉马林加姆 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/18;H01L23/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郑立柱,梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不满 填充 受控 折叠 芯片 连接 c4 集成电路 封装 生产 流水线 | ||
1.一种不满填充安装在基底上的集成电路的生产流水线,包括:
第一发放站,可以将第一不满填充材料发放到基底上;以及
一个加热第一不满填充材料的烘箱,该烘箱在第一不满填充材料在集成电路和基底之间流动时移动该基底。
2.如权利要求1所述的生产流水线,还包括将第二不满填充材料发放到基底上的第二发放站。
3.如权利要求1所述的生产流水线,其中第二不满填充材料密封第一不满填充材料。
4.如权利要求1所述的生产流水线,其中第一不满填充材料是环氧的。
5.如权利要求4所述的生产流水线,其中第二不满填充材料是酸酐环氧。
6.如权利要求1所述的生产流水线,其中烘箱将第一不满填充材料加热到部分胶凝状态。
7.一种不满填充安装到基底上的集成电路的方法,包括:
将第一不满填充材料发放到基底上;以及
加热第一不满填充材料,同时移动基底穿过烘箱。
8.如权利要求7所述的方法,其中第一不满填充材料在集成电路和基底之间流动。
9.如权利要求8所述的方法,还包括环绕第一不满填充材料发放第二不满填充材料的步骤。
10.如权利要求7所述的方法,还包括在发放第一不满填充材料之前加热基底的步骤。
11.如权利要求10所述的方法,其中加热基底的温度要高于第一不满填充材料移过烘箱的温度。
12.如权利要求7所述的方法,还包括使用焊接突起将集成电路安装到基底上的步骤。
13.如权利要求12所述的方法,还包括将焊接球加在基底上的步骤。
14.一个不满填充安装在基底上的集成电路的方法,包括:
将第一不满填充材料发放到基底上;以及
在第一不满填充材料在集成电路和基底之间流动期间移动基底。
15.如权利要求14所述的方法,还包括环绕第一不满填充材料发放第二不满填充材料的步骤。
16.如权利要求14所述的方法,还包括在第一不满填充材料发放之前加热基底的步骤。
17.如权利要求14所述的方法,还包括使用焊接突起将集成电路安装在基底上的步骤。
18.如权利要求17所述的方法,还包括将焊接球附到基底上的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造