[发明专利]光电器件有效
| 申请号: | 00803666.7 | 申请日: | 2000-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN1340218A | 公开(公告)日: | 2002-03-13 |
| 发明(设计)人: | J·H·布罗格斯;J·C·卡特尔;A·G·甘尼尔;S·K·赫克斯;I·S·米拉德 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/20 | 分类号: | H01L51/20 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 段承恩 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 器件 | ||
本发明涉及光电器件,例如用于发射或检测光的器件。
光电器件的一种特定类型是使用用于光发射或检测的有机材料的那些。在PCT/WO90/13148和US4539507中公开了发光有机材料,其内容在此引用供参考。这些器件的基本结构是发光有机层,例如夹在两个电极之间的聚(对亚苯基亚乙烯基)(“PPV”)膜。一个电极(阴极)注入负电荷载流子(电子),另一电极(阳极)注入正电荷载流子(空穴)。电子和空穴在有机层中复合产生光子。PCT/WO90/13148中有机发光材料是聚合物。US4539507中有机发光材料是公知的小分子材料类型,例如(8-羟基喹啉)铝(“A1q3”)。在实际器件中,电极之一通常是透明的,使得光子能逸出器件。
图1表示该有机发光器件(“OLED”)的典型横截面结构。一般在用形成阳极2的透明材料例如铟锡氧化物(“ITO”)涂覆过的玻璃或塑料衬底1上制备OLED。该涂覆衬底有市售。ITO涂覆的衬底至少覆盖电致发光有机材料薄膜3和通常为金属或合金的最后阴极层4。
该器件的一些特别有吸引力的应用是作为电池供电装置例如便携式计算机和移动电话的显示器。因此,为延长该装置的电池寿命,强烈要求提高发光器件的效率。改善效率的一种途径是对发光材料本身的仔细选择和设计。另一种是优化显示器的物理布置。第三种是改善发光层中电荷注入和电荷复合的条件。
为改善发光层中电荷注入和电荷复合的条件,公知在电极之一或两个与发光层之间包括有机材料例如聚苯乙烯磺酸掺杂的聚亚乙基二氧噻吩(“PEDOT-PSS”)的电荷输运层。适当选择的电荷输运层可增强电荷注入发光层,并阻挡电荷载流子的逆向流动,有助于电荷复合。也公知由功函数有助于电荷载流子理想流动的材料来形成电极。例如,优选低功函数材料例如钙或锂作为阴极。PCT/WO97/08919公开了镁:锂合金形成的阴极。
按照本发明的一个方面,提供一种光电器件,包括:阳极;阴极;以及位于电极之间的光电有源区;阴极包括:包含族1、族2或过渡金属的化合物的第一层;包含其功函数低于3.5eV的材料的第二层;以及通过第一、第二层与光电有源区隔开的并且功函数大于3.5eV的第三层。
按照本发明的第二方面,提供形成光电器件的方法,该方法包括:淀积阳极;在阳极上淀积光电有源材料区;在光电有源材料区上淀积包含族1、族2或过渡金属的化合物的层和包含功函数低于3.5eV的材料的层;以及在那些层上淀积功函数大于3.5eV的材料,形成第三阴极层。
该化合物优选族1或族2金属的化合物,特别是族1金属例如锂的化合物。该化合物可以是例如卤化物(例如氟化物)、氧化物、碳化物或氮化物中的任何一个。这些化合物中的一些可以是导电的,而另一些可以是电绝缘的。该化合物可以是族1、族2或过渡金属的配合物,特别是有机配合物。
通过第二层可把第一层与光电有源区隔开。或者,通过第一层把第二层与光电有源区隔开。第一、第二层中更靠近光电有源区者最好与该区相邻,或者在第一层和光电有源区之间有一个或多个其它层(优选导电层)。光电有源区适合呈层状,优选为光电有源材料层。适当激活光电有源区以发射光或响应入射光产生电场。优选该器件是电致发光器件。
第二层适当地包括由包含如下所列金属的组中选择出的金属:Li、Ba、Mg、Ca、Ce、Cs、Eu、Rb、K、Y、Sm、Na、Sm、Sr、Tb、或Yb;或这些金属的两种或多种的合金;或这些金属的一种或多种与另一金属例如Al、Zr、Si、Sb、Sn、Zn、Mn、Ti、Cu、Co、W、Pb、In或Ag一起的合金。
第一层的适当厚度是在10-150埃之间。第二层的适当厚度小于1000埃,优选小于500埃。第二层的适当厚度大于40埃或100埃,任意地大于150埃或200埃。优选第二层厚度范围是40埃-500埃。
第一层优选包括大于80%、大于90%或大于95%,或最优选大于99%的所述化合物。第一层最好基本上由所述化合物组成。所述化合物在该器件中具有小于3.5eV的有效功函数。
构成第二层的所述材料优选具有小于3.5eV、小于3.4eV、或小于3.3eV或小于3.2eV、或小于3.2eV或小于3.1eV或小于3.0eV的功函数。第二层优选包括大于80%、大于90%或大于95%,或最优选大于99%的该材料。第二层最好基本上由该材料组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥显示技术有限公司,未经剑桥显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00803666.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





