[发明专利]导电性氮化物膜及其制备方法和防反射体无效
| 申请号： | 00803600.4 | 申请日： | 2000-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1340201A | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 藤野正美;佐藤一夫;光井彰;竹田谕司;堀江则俊 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/06 | 分类号： | H01B1/06;H01B5/14;C23C14/06;C23C14/34;G09F9/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 章鸣玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 氮化物 及其 制备 方法 反射 | ||
1.导电性氮化物膜，包含Ti和/或Zr及选自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一种以上金属。
2.如权利要求1所述的导电性氮化物膜，其中，相对于Ti、Zr、Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的总和，Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的总和的比例为0.1-20at％。
3.导电性氮化物膜，包含Ti和/或Zr及选自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一种以上金属且Ni、Pd、Ag、Au和Pt的总和相对Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt总和的比例为0.1-20at％。
4.权利要求1所述导电性氮化物膜的制备方法，其特征在于：用包含Ti和/或Zr及选自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一种以上金属靶在含氮气氛中进行溅射。
5.如权利要求4所述导电性氮化物膜的制备方法，其中使用的金属靶包含Ti和/或Zr及选自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一种以上金属，且相对于Ti、Zr、Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的总和，Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的总和的比例为0.1-20at％。
6.权利要求3所述导电性氮化物膜的制备方法，其特征在于：用包含Ti和/或Zr及选自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一种以上金属且Ni、Pd、Ag、Au和Pt的总和相对Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt总和的比例为0.1-20at％的金属靶在含氮气氛中进行溅射。
7.防反射体，其特征在于：在基体上具有一层以上权利要求1、2或3所述的导电性氮化物膜及一层以上低折射率膜。
8.在显示器显示用材料上形成一层以上权利要求1、2或3所述的导电性氮化物膜及一层以上低折射率膜、具有防反射性能的显示器显示用材料。
9.具有如权利要求8所述具有防反射性能的显示器显示用材料的显示器。
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