[发明专利]有源差分－单端变换器

权利要求书

1.一种将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，包括：

一具有控制端、电荷生成端和电荷收集端的有源器件；以及

一具有两端的电阻，

其中至少间接地将一偏置电位加到所述有源器件的电荷生成端；而且

所述电阻两端其中一端与所述有源器件的电荷收集端连接，而所述电阻两端其中另一端与所述有源器件的控制端连接；而且

差分电流信号加到该电阻两端，并在所述有源器件的电荷收集端输出该单端信号。

2.如权利要求1所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件是一场效应晶体管。

3.如权利要求1所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件是一双极性结型晶体管。

4.如权利要求1所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件选自金属半导体场效应晶体管、异质结双极性结型晶体管以及高电子迁移率晶体管。

5.如权利要求1所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，还包括一具有两端的直流源，

其中将偏置电位加到所述直流源两端其中一端上，并将所述直流源两端其中另一端与所述有源器件的控制端连接。

6.如权利要求5所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件是一场效应晶体管。

7.如权利要求5所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件是一双极性结型晶体管。

8.如权利要求5所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件选自金属半导体场效应晶体管、异质结双极性结型晶体管以及高电子迁移率晶体管。

9.如权利要求5所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述直流源包括一高阻抗电路。

10.如权利要求5所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述直流源包括一具有电感器和与所述电感器并联连接的电容器的谐振电路，其中所述谐振电路具有高阻抗。

11.如权利要求5所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述直流源包括一条1/4波长传输线。

12.如权利要求1所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，还包括一具有两端的直流源，

其中将偏置电位加到所述直流源两端其中一端上，并将所述直流源两端其中另一端与所述有源器件的电荷收集端连接。

13.如权利要求12所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件是一场效应晶体管。

14.如权利要求12所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件是一双极性结型晶体管。

15.如权利要求12所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述有源器件选自金属半导体场效应晶体管、异质结双极性结型晶体管以及高电子迁移率晶体管。

16.如权利要求12所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述直流源包括一高阻抗电路。

17.如权利要求12所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述直流源包括一具有电感器和与所述电感器并联连接的电容器的谐振电路，其中所述谐振电路具有高阻抗。

18.如权利要求12所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，所述直流源包括一条1/4波长传输线。

19.如权利要求1所述的将差分电流信号变换为单端信号的电路，其特征在于，还包括一具有两端的第一直流源和具有两端的第二直流源，

其中将偏置电位加到所述第一直流源两端其中一端上，并将所述第一直流源两端其中另一端与所述有源器件的控制端连接，而且

将偏置电位加到所述第二直流源两端其中一端上，并将所述第二直流源两端其中另一端与所述有源器件的电荷收集端连接。