[发明专利]端接模拟用户线路的电路布置无效
申请号: | 00801946.0 | 申请日: | 2000-01-05 |
公开(公告)号: | CN1321387A | 公开(公告)日: | 2001-11-07 |
发明(设计)人: | 亚利山大·卡尔;耶尔格·豪普特曼 | 申请(专利权)人: | 印芬龙科技股份有限公司 |
主分类号: | H04M3/00 | 分类号: | H04M3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王仲贤 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 端接 模拟 用户 线路 电路 布置 | ||
本发明涉及一种端接模拟用户线路的电路布置,该电路布置具有用于端接用户线路的一第一端子(a)和一第二端子(b),并且其中第一端子(a)通过一由第一电容器(C1)、至少一可变电阻(T1、R1、T2、R2)和一第二电容器(C2)构成的串联电路与第二端子(b)连接。
一用于端接用户模拟线路(用户线路电路)的电路布置形成交流信号和直流信号的端接阻抗。其中当存在信号传输连接时,直流信号的端接阻抗(直流-端接阻抗)和交流信号的端接阻抗(交流-端接阻抗)接在用户线路上。
直流-端接阻抗用于调整端接模拟用户线路的电路布置的工作点,并向对方台站(例如交换局)通告已存在连接。在发送或接收信号(例如话音-或数据信号)时,流过用户线路的电流将以被直流端接阻抗调整的工作点为基准受到调制。其中工作点取决于由对方台站馈送的流过用户线路的直流电流,并取决于通过直流-端接阻抗调整的直流-特性。
仅需要改变电路,例如更换电阻、电容等即可以实现根据所在国对直流-和交流-端接阻抗的具体要求的变化或与后者的适配。
所以本发明的目的在于提出一种端接模拟用户线路的电路布置,该电路布置用很少的电路花费即可构成可调的交流-端接阻抗,该端接阻抗是可编程的,并且其中用户线路是无直流的。
实现该目的的技术方案是,直流源接在第一电容器和可变电阻之间的节点上。
本发明涉及一种端接模拟用户线路的电路布置,该电路布置具有用于端接双芯线用户线路的第一端子和第二端子。第一端子通过一由第一电容器、至少一可变电阻和一第二电容器构成的串联电路与第二端子连接。根据本发明,直流源接在第一电容器和可变电阻之间的节点上。直流源加入一用于调整在模拟用户线路上进行信号传输时的工作点的电流。由于设有第一和第二电容器,因而直流信号在用户线路上被截止,所以在模拟用户线路上没有直流电流流动。另外,第一和第二电容器和可变电阻形成交流信号的端接阻抗。通过可变电阻实现对直流信号的工作点和交流信号的端接阻抗的调整。
根据本发明的一优选实施方式,由一晶体管和一电阻构成直流源,其中晶体管的负载电路与电阻串联,并且电阻的自由端子与电源电压连接。晶体管的控制端子通过一控制电路与晶体管的负载电路和电阻之间的连接点连接。
根据本发明的一特别优选的实施方式,控制电路具有一个运算放大器,该运算放大器对在晶体管的负载电路和电阻的连接点上的电压与基准电压进行比较,并根据比较结果通过其输出电压对晶体管进行控制。
直流源优选具有一个二极管,该二极管与晶体管的负载电路串联。二极管的优点在于可以防止晶体管被呼叫信号的高压损伤。
下面将对照实施例并结合附图对本发明的其它优点、特征和应用加以说明。图中示出:
图1示出端接模拟用户线路的电路布置的实施例,该实施例的电路布置设置在用于在模拟用户线路上进行数据传输的器件内。
图1示出端接模拟用户线路的电路布置,其中模拟用户线路具有双芯线,所述双芯线与电路布置的第一端子a和第二端子b连接。
第一端子a通过一第一电容器C1、一第一n-沟道-MOS场效应晶体管T1和一第一电阻R1的串联电路与基准电位VSS连接。第二端子b通过一第二电容器C2、一第二n-沟道-MOS场效应晶体管T2和一第二电阻R2的串联电路与基准电位VSS连接。基准电位VSS在本实施例中等于零电位。第一电容器C1和第二电容器C2对在模拟用户线路上的直流信号进行阻塞。因此没有直流信号经用户线路流入电路布置中。
为对电路布置的直流工作点进行调整,经第一分压器R3和R6,对在第一电容器和第一n-沟道-MOS场效应晶体管T1之间的连接点上的电压进行测量,并将此电压加给直流-工作点控制电路3。另外,经第二分压器R4和R7,对在第二电容器和第二n-沟道-MOS场效应晶体管T1之间的连接点上的电压进行测量,并将此电压加给直流-工作点控制电路3。直流-工作点控制电路3通过一加法电路4和一模拟积分电路2对第一n-沟道-MOS-场效应晶体管T1的负载电路的电阻进行调整,从而实现电路布置的直流-工作点的控制。
为了在连接点1和连接点11上存在可以测量的直流电压,将连接点1与直流源连接,该直流源馈送一个电流I。第二n-沟道-MOS场效应晶体管T2的控制端子在该工作状况下处于高电位VHIGH,因而第二n-沟道-MOS场效应晶体管T2的负载电路的电阻是低阻值的。
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