[实用新型]变温的高阻半导体材料光电测试装置无效

专利信息
申请号: 00258011.X 申请日: 2000-10-24
公开(公告)号: CN2444236Y 公开(公告)日: 2001-08-22
发明(设计)人: 张砚华;卢励吾;樊志军 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N25/18 分类号: G01N25/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 1000*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体材料 光电 测试 装置
【权利要求书】:

1、一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中包括:

一真空腔,该真空腔为圆柱体,该真空腔内为真空室;

一真空室上罩,该真空室上罩罩扣于真空腔的上面;

一真空室底盘,该真空室底盘用螺丝固定在真空腔的下面,该真空室底盘的中间有一通孔;

一冷井,该冷井为圆桶体,其上下端均封闭,在其下端开有两通孔;

一样品座,该样品座固定在冷井的上端。

2、根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中该真空腔的侧壁上开有供接线端引出的小孔,在该小孔的外面有封闭盖;在真空腔的内壁的上下端形成有环状凸台。

3、根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中该冷井的外周壁面固定有金属膜加热器,该冷井下端两通孔分别为液氮的入口和出口,并与液氮管路相连接。

4、根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中该样品座的断面概似一工字形,其上有一传感器,下面有一磁铁。

5、根据权利要求2所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中在真空腔内壁的凸台上固定有两个接线柱,该接线柱为绝缘材料制成,该接线柱上固定有探针。

6、根据权利要求2所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中该接线端包括:第一接线端、第二接线端、第三接线端,其第一接线端与探针连接,第二接线端与样品座连接,第三接线端与金属膜加热器连接。

7、根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中该真空室上罩的中间开有一观察孔,该观察孔上有一透明盖。

8、根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中在真空腔与真空底盘、真空腔与真空室上盖之间有一真空密封圈。

9、根据权利要求7所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其特征在于,其中在观察孔和透明盖之间有一真空密封圈。

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