[实用新型]大电流金属二极管

说明书

本实用新型属于二极管类，具体是一种带有分体式管座及弯曲状引线的大电流金属二极管。

现有的大电流金属二极管所采用的管座是将六角螺母与底座加工为一体，并有独立的晶粒支架，这样在制作时需在电炉上手工焊接晶粒及晶粒支架，之后再将晶粒支架用焊料在电炉上焊接到管座上，之后将管座及晶粒支架放入到石墨模中，在晶粒支架的周边安放上石墨塞子，上部安放铝质上引线，将其放入到真空炉中与铝质上引线烧结为一体，最后套装上管壳，并压扁焊接和密封，该种结构的二极管存在以下缺陷：

1、需手工加工，生产效率低，制造成本高。

2、加工工序复杂，制作周期长。

3、首次焊接需暴露在空气中手工进行，焊料的膨胀系数较大，焊接时易氧化，降低电性能。

4、受生产工艺影响，产品在真空炉中升、降温过快，晶粒所承受的瞬间温差变化大，易开裂，致使产品的成品率低，增大产品成本。

本实用新型的目的在于解决上述技术存在的不足，提供一种能够自动化加工，工艺简单，生产效率高，制造成本低、产品电性能好的大电流金属二极管。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：

即一种大电流金属二极管，包括焊片、晶粒、上引线、上管壳及管座，本技术的主要改进在于：

a：管座由独立的下底座及螺母构成，下底座上部呈T形结构，底座上端的凸出部嵌装在螺母内，下底座下部加工螺栓；

b：与晶粒联接的上引线端部呈弯曲状结构。

所述下底座的上端凸出部横截面可根据实际需要加工为圆形、多边形或其他的结构形式。

管座采用了分体式结构，与晶粒联接的上引线端部呈弯曲状结构，不再需要独立的晶粒支架，简化了制造工艺，只要将两部分分别装入上、下模中，即可一次完成焊接，便于对二极管进行自动化加工，采用自动化加工时在有保护气氛中进行，采用钼片作为焊料，减小了膨胀系数，克服了氧化和应力所造成的二极管电性能较差的问题，在加工时可使用隧道炉，减小了晶粒因承受瞬间高温差所造成的晶粒易开裂，成品率低所造成制造成本高的问题。

本实用新型与现有技术相比，由于采用了分体结构的管座及端部弯曲的上引线，不再采用传统晶粒支架，所以二极管实现了通过模具自动化加工，提高了生产效率，降低了成本，采用自动化加工时可以在较密闭和保护气体环境中进行，这样就避免了焊料氧化，减小焊接应力，保证了电性能，而且生产效率得到较大提高，并且在加工时不使用传统的真空炉，减小了晶粒因承受瞬间高温差所造成的晶粒易开裂，成品率低所造成制造成本高的问题。

下面结合附图进一步详细描述：

图1：本实用新型实施例剖面结构示意图。

图2：现有技术实施例结构示意图。

图中：1上盖、2螺母、3螺栓、4下底座、5焊片、6晶粒、7上引线、8上引线套管、9弯曲结构、10保护层、11管座、12晶粒支架

如图1所示，本大电流金属二极管，包括焊片5、6晶粒、7上引线、8上管壳及管座，本技术的主要改进在于：

a：管座4由独立的下底座4及螺母2构成，下底座4的上部呈T形结构，底座上端的凸出部嵌装在螺母2内，下底座的下部加工螺栓3；

b：与晶粒联接的上引线7端部呈弯曲状结构9。

所述T形底座的上端凸出部横截面可为圆形、多边形或其他结构形式。

管座采用了分体式结构，上引线7的端部为弯曲状结构，并不再使用晶粒支架，便于对二极管进行自动化加工，采用自动化加工时可以在气体保护的隧道炉中进行，晶粒能够逐渐缓慢的升、降温，解决了晶粒所承受的瞬间高温差现象，这样就避免了因焊料氧化，焊接应力所造成的二极管电性能较差的问题。

在加工时，先分别加工下底座4、螺母2，然后将下底座4装入石墨模中，再将焊片5、晶粒6、焊片5依次放到一石墨模具中，并将上引线7装入另一石墨模中，合模后通过在隧道炉保护气体中烧结，使之焊接为一体，之后在晶粒6周围加涂防护层10，最后加装上盖1，并将与焊片5相联的上引线7套装进上引线套管8，这样一只(或一批)二极管的加工结束，如此往复循环，即可快速的生产出大批量的二极管，上引线7的端部为弯曲状结构9，可使上引线7在受热拉伸或受冷收缩时自身有一定的调节余量，以延长二极管的使用寿命。