[实用新型]非晶系A1InGaN发光二极管结构无效
| 申请号： | 00239022.1 | 申请日： | 2000-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN2427889Y | 公开（公告）日： | 2001-04-25 |
| 发明（设计）人： | 赵汝杰 | 申请（专利权）人： | 赵汝杰 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈红,李强 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶系 a1ingan 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1、一种非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，包括：在一蓝宝石基板上上依序形成的及一n型非晶系化合物半导体层、一p／n非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、第二p型非晶系化合物半导体层及第一p型非晶系化合物半导体层。
2、如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，p型杂质可为锌，镁，铍，锶及／或钙，杂质浓度为1014-22EA／cm3。
3、如权利要求一的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，n型杂质可为硅，锗，锡，硫，杂质浓度为1014-22EA／cm3。
4、如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，该非晶系化合物半导体层用气相成长制成，且气相成长气体包含氨或肼e或氨一肼结合三甲基铝，并加入三甲基镓及／或三乙基镓。
5、如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，气相成长气体包含混合后使用的二乙基锌、三甲基锌、三甲基铟、环戌基二乙基镁。
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