[实用新型]晶体的高温退火炉无效
| 申请号: | 00216702.6 | 申请日: | 2000-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN2408570Y | 公开(公告)日: | 2000-11-29 |
| 发明(设计)人: | 徐军;周国清;邓佩珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 李兰英 |
| 地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体 高温 退火炉 | ||
本实用新型是一种晶体的高温退火炉。
在先技术:由于晶体,特别是氧化物晶体如蓝宝石(Al2O3)或钇铝石榴石(Y3Al5O12)等晶体是在接近熔点的高温条件下合成的,因此生长出的晶体含有两个缺点,其一是晶体热应力大,无法直接加工使用;其二是晶格畸变严重,晶体的光学均匀性差。北京工业大学张克从,张乐潓在《晶体生长科学与技术》(1997年出版)专著中指出,蓝宝石晶体在加工之前,必须进行高温退火处理,退火温度要在1800℃以上。若得到更好的效果,退火温度还要高,达到接近熔点的温度才行。用煤气和氢气燃烧作热源的反应炉的工作温度可达1800℃,但以气体燃料为热源,不容易做到温度均匀,温度不好控制,尤其在升温过程中热冲击很大,晶体往往在升温过程中就炸裂了。上海实验电炉厂提供的高温箱式电阻炉(参阅产品说明书,1995年),是以硅钼棒为加热元件,它的最高极限温度不超过1700℃,通常的情况下是1300℃~1700℃。也就是说,达不到高温-1800℃以上的温度要求。
本实用新型的目的:为克服上述在先技术中的缺点,提供一种适合氧化物晶体的高温退火炉,退火炉密封,内部温度可高达2200℃,而且温度均匀,升温降温容易控制,晶体经本实用新型的退火炉高温(1800℃-2200℃)退火后,晶体的光学均匀性将有明显的提高。
本实用新型所述的高温退火炉也称为钟罩式电阻炉,其内部结构如图1。它包括置于带排气口17的台板16上并与台板16密封接触的带有充气阀3的钟罩1。在钟罩1内,置有由支撑架14支撑的带通到钟罩1外电极柱15的电极板11。在钟罩1内电极板11的中心位置上置有带冷却管柱12的埚托10。埚托10的上面置有置放待退火晶体7的垫板9。在钟罩1内待退火晶体7的顶上及周围置有由保温盖2和保温筒4构成的保温罩18。电极板11的支撑架14与支撑埚托10的冷却管柱12之间置有保温屏13。冷却管柱12除了起支撑埚托10的作用外,它内部还通冷却水,起冷却作用。为了控制退火温度及确切地测量待退火晶体7的温度,在靠近待退火晶体7处有伸到钟罩1外的热电偶8。通常的情况下,热电偶8的测量点与待退火晶体7之间的距离仅为3~5cm。在保温筒4与待退火晶体7之间置有圆形对称的与电极板11直接连接的发热体5。在发热体5与待退火晶体7之间置有与发热体5同中心轴线OO的同是圆形对称的恒温筒6。恒温筒6在发热体5与待退火晶体7之间但不与两者接触。也就是说,恒温筒6与待退火晶体7之间以及恒温筒6与发热体5之间均存在有一定的间距。具体地说,发热体5的直径Df大于恒温筒6的直径Dh,恒温筒6的直径Dh大于待退火晶体7的直径Di,即Df>Dh>Di,通常的情况下是:(Df-Dh)/2=30mm~100mm。
上述的发热体5、恒温筒6、埚托10、置于埚托10上的垫板9以及置于垫板9上的待退火晶体7均与钟罩1和保温罩18是同一中心轴线OO。
所说的发热体5、带电极柱15的电极板11、恒温筒6以及置于埚托10上面的垫板9均是由同一种材料的钼,或钨,或钽构成。
所说的埚托10是由耐高温绝缘材料的氧化锆,或氧化铝,或铝酸镁,或高温陶瓷构成。
为了保证钟罩1内温度的稳定性和均匀性,在发热体5及待退火晶体7的上下、四周设置了严密的保温罩18,保温罩18由上部的保温盖2和侧壁的保温筒4构成。保温盖2和保温筒4均要求在长时间的高温下不熔化、不变形。所以,保温盖2和保温筒4是由多层高温材料的刚玉板,或钼片,或钨片构成。例如保温盖2的第一层(最靠近晶体)为刚玉板,其余六至八层用钼片或钨片制成。保温筒4用二十至二十五层钼片或钨片制成,但内层最好为钨片材料。保温屏13用钼片或钨片等制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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