[发明专利]半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件

权利要求书

1．一种半导体陶瓷材料，包含钛酸钡(BaTiO₃)并具有正电阻温度系数特性，其特征在于，

在第1温度范围和第2温度范围之间的边界上定义的边界温度是180℃或者高于居里温度，其中

第1温度范围高于居里温度，并且在这种范围内陶瓷材料具有正电阻温度系数，

第2温度范围高于第1温度范围，并且在这种范围内陶瓷材料具有负电阻温度系数。

2．一种电子元器件，其特征在于，

包括内部电极和如权利要求1所述的半导体陶瓷材料，

所述内部电极和所述半导体陶瓷材料相互重叠。

3．如权利要求1所述的半导体陶瓷材料，其特征在于，

用钐(Sm)原子代替钡(Ba)原子的一部分。

4．如权利要求1所述的半导体陶瓷材料，其特征在于，

包含用r1表示的大约0.0005克分子(mol)比的二氧化硅(SO₂)，和可选择地包含用r2表示的大约0到0.0001克分子(mol)比的锰(Mn)，以及基于作为主要成分的BaTiO₃的克分子(mol)比。

5．一种半导体陶瓷材料的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括

对钛酸钡(BaTiO₃)源材料、将半导体性能加给钛酸钡(BaTiO₃)的材料和二氧化硅(SiO₂)以及可选择地加入锰(Mn)进行混合而形成混合物，

对合成的混合物进行煅烧，

将煅烧后得到的混合物与有机粘结剂进行混合，

对合成的混合物进行压坯而形成坯块，

在H₂/N₂气氛中并在低于混合物被完全烧结的温度下，对坯块进行焙烧，

在空气中对焙烧后的坯块再次进行氧化。

6．如权利要求5所述的半导体陶瓷材料的制造方法，其特征在于，

二氧化硅(SO₂)对于钛酸钡(BaTiO₃)的克分子(mol)比是0.0005。

7．如权利要求5所述的半导体陶瓷材料的制造方法，其特征在于，

锰(Mn)对于钛酸钡(BaTiO₃)的克分子(mol)比是0到0.0001。