[发明专利]放射性医用植入物及其制造方法

权利要求书

1.一种放射性医用植入物，包括：

具有分子结构的基片材料；以及

在该基片材料内的放射性表面区域，它包括且已植入于该放射性区域内基片材料分子结构之中的多个放射性离子，其中该放射性离子包括选自氩、氪、氙及氡等元素的放射性离子。

2.权利要求1的放射性植入物，其中该放射性离子包括放射性氙-133。

3.权利要求1的放射性植入物，其中该放射性离子包括放射性氡-222。

4.权利要求1的放射性植入物，其中该基片材料包括硅。

5.权利要求1的放射性植入物，其中该基片材料选自无定形硅及结晶硅。

6.权利要求5的放射性植入物，其中该放射性离子为放射性氙-133。

7.权利要求1的放射性植入物，其中该放射性离子为放射性氙-133，该放射性植入物的放射性区域具有约10原子百分比的放射性离子浓度。

8.权利要求1的放射性植入物，其中该植入于基片材料的放射性氙-133离子，在该基片材料内具有的密度为每平方厘米约6.5×10¹⁵个离子到每平方厘米约5.7×10¹⁶个离子。

9.权利要求1的放射性植入物，其中该基片材料为医用移植片固定模的形式。

10.权利要求1的放射性植入物，其中该基片材料为球形。

11.权利要求1的放射性植入物，还包含芯体，该基片材料围绕该芯体。

12.权利要求1的放射性植入物，其中：

该基片材料选自无定形硅及结晶硅；

该放射性离子是放射性氙-133；以及

该放射性离子于该基片材料内的密度为每平方厘米约6.5×10¹⁵个离子到每平方厘米约5.7×10¹⁶个离子。

13.权利要求12的放射性植入物，其中超过90％的植入的放射性离子被植入该基片表面之下。

14.权利要求12的放射性植入物，其中该植入的放射性离子在植入能量水平为10keV-200keV之间植入时，植入的放射性离子的平均深度为0.0080μm-0.08μm。

15.权利要求12的放射性植入物，还包含球形芯体，该基片材料围绕该芯体。

16.一种制造放射性植入物的方法，其包含下列步骤：

提供离子植入装置；

定位基片材料于该离子植入装置之内，该基片材料具有表面及分子结构；

操作该离子植入装置以在该基片材料内产生放射性区域，包括许多放射性离子被植入于该放射性区域的基片材料质分子结构之中，其中该放射性离子包括选自氩、氪、氙及氡等元素的放射性离子。

17.权利要求16的方法，还包含后-处理基片材料的步骤，以再结晶具有植入离子的基片材料的表面层。

18.权利要求16的方法，其中定位基片材料的步骤包括定位包含硅的基片材料。

19.权利要求16的方法，其中操作该离子植入装置的步骤还包含提供包括氙-133的放射性离子。

20.权利要求16的方法，其中操作该离子植入装置的步骤还包含提供包括氡-222的放射性离子。

21.权利要求16的方法，其中：

该定位基片材料的步骤包括定位包含硅的基片材料；以及

该操作离子植入装置的步骤还包含提供包括氙-133的放射性离子。

22.权利要求16的方法，其中操作该离子植入装置的步骤还包含：

提供放射性离子；

加速许多放射性离子朝向该基片材料的表面，其能量水平足以趋使该许多放射性离子进入该基片材料表面下至少10毫微米处。

23.权利要求16的方法，其中操作该离子植入装置的步骤还包含：

提供放射性离子；

加速许多放射性离子朝向该基片材料的表面，其加速平均能量为至少10keV。