[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00133999.0 | 申请日： | 1995-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1295348A | 公开（公告）日： | 2001-05-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1．一种半导体器件，它利用了形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜半导体，其中
该薄膜半导体具有一个可以被认为实际上是单晶体的区域，
该区域构成至少一部分有源层，
以及该区域包含浓度在5×1018cm-3或以下的碳和氮原子，浓度在5×1019cm-3或以下的氧原子，和浓度在5×1020cm-3或以下的氢原子，氢原子中和半导体内不成对的键，
其中该区域的半极值的全宽度与单晶硅的半极值的全宽度之比是2或小于2。
2．权利要求1的器件，其中薄膜半导体包括硅。
3．一种半导体器件，它利用了形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜半导体，其中
该薄膜半导体具有一个可以被认为实际上是单晶体的区域，
该区域构成至少一部分有源层，
以及该区域包含浓度在5×1018cm-3或以下的碳和氮原子，浓度在5×1019cm-3或以下的氧原子，和浓度在5×1020cm-3或以下的氢原子，氢原子中和半导体内不成对的键，
其中可以被认为实际上是单晶体的区域包含从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag和Au中选择的浓度为5×1019cm-3或以下的促进硅结晶的一种或多种金属元素。
4．权利要求3的器件，其中薄膜半导体包括硅。
5．权利要求3的器件，其中该区域的半极值的全宽度与单晶硅的半极值的全宽度之比是2或小于2。
6．一种半导体器件，它利用了形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜半导体，其中
该薄膜半导体具有一个可以被认为实际上是单晶体的区域，
该区域构成至少一部分有源层，
和包含浓度为5×1020cm-3或以下的氢原子，氢原子中和半导体内不成对的键，
其中可以被认为实际上是单晶体的区域包含从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag和Au中选择的浓度为5×1019cm-3或以下的促进硅结晶的一种或多种金属元素。
7．权利要求6的器件，其中薄膜半导体包括硅。
8．权利要求6的器件，其中该区域的半极值的全宽度与单晶硅的半极值的全宽度之比是2或小于2。
9．一种半导体器件，它利用了形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜半导体，其中
该薄膜半导体具有一个可以被认为实际上是单晶体的区域，
该区域构成至少一部分有源层，
以及该区域包含浓度在5×1018cm-3或以下的碳和氮原子，浓度在5×1019cm-3或以下的氧原子，和浓度在5×1020cm-3或以下的氢原子，氢原子中和半导体内不成对的键，
薄膜半导体的厚度平均在200和2000之间，和
该区域中的喇曼光谱强度与单晶硅的喇曼光谱强度之比至少是0．8，
其中可以被认为实际上是单晶体的区域包含从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag和Au中选择的浓度为5×1019cm-3或以下的促进硅结晶的一种或多种金属元素。
10．权利要求9的器件，其中薄膜半导体包括硅。
11．权利要求9的器件，其中该区域的半极值的全宽度与单晶硅的半极值的全宽度之比是2或小于2。
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