[发明专利]修正光邻近效应的方法

权利要求书

1．一种修正光刻工艺中光邻近效应的方法，该光刻工艺使用具有掩模互连图形的掩模图形形成互连图形，所述方法包括步骤：在所述掩模互连图形中提取拐角部分；给所述提取的各拐角部分的内拐角上提供一个的默认的“L”形剪切块修正图形；计算相邻两个所述默认剪切块修正图形的引线相对端之间的第一距离，将第一距离与阈值距离进行比较，如果所述第一距离小于所述阈值距离，则修改所述默认剪切块修正图形，得到修改后的剪切块修正图形，以使所述修改后的剪切块修正图形的引线相对端之间的距离大体上等于所述阈值距离。

2．如权利要求1所述的方法，其中所述第一距离计算步骤包括：判断相邻的两个所述提取的拐角部分是否构成“]”形图形；计算所述“]”形图形中的相邻两个所述默认剪切块修正图形的引线相对端之间的所述第一距离。

3．如权利要求1所述的方法，进一步包括如下步骤：判断相应于各所述提取拐角部分的互连部分是否直接和接触孔连接，从而提取所述掩模图形中的所选择的拐角部分，并在所述选择的拐角部分的外拐角上加上一个附加修正图形。

4．如权利要求1所述的方法，其中所述“]”形图形在所述邻近的拐角部分之间包括栅极图形。

5．如权利要求2所述的方法，进一步包括如下步骤：判断所述“]”形图形是第一种类型还是第二种类型，并且所述第二种类型不执行修改所述默认剪切块修正图形的所述步骤。