[发明专利]半导体装置及半导体基板及它们的制造方法

权利要求书

1．一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷的基板和至少借助于来自上述凹陷的内表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层。

2．根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述凹陷至少包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片内表面，上述2片内表面和与上述表面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。

3．根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于上述凹陷的上述形状为大致正三角形或大致正六边形。

4．根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于上述基板由具有六方晶的结晶构造的半导体层构成，上述凹陷被设在该半导体层的表面上。

5．根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于构成上述基板的上述半导体层和形成于上述基板的上述表面上的上述半导体层都是由氮化物半导体构成的。

6．根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于上述凹陷的上述内表面是面方位为(1，-1，0，n)(这里n为任意数)的面或与此等价的面。

7．根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于上述n为1。

8．根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于多个上述凹陷被设在上述基板的上述表面上。

9．根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于至少包含活性层的多个半导体层被形成于上述基板上。

10．一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和至少借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起至少包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。

11．根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于上述基板由具有六方晶的结晶构造的半导体层构成，上述凸起被设在该半导体层的表面上。

12．根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于构成上述基板的上述半导体层和形成于上述基板的上述表面上的上述半导体层都是由氮化物半导体构成的。

13．根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于上述凸起的上述侧面是面方位为(1，-1，0，n)(这里n为任意数)的面或与此等价的面。

14．根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于上述n为1。

15．根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于多个上述凸起被设在上述基板的上述表面上。

16．根据权利要求10至15中任一项所述的半导体装置，其特征在于至少包含活性层的多个半导体层被形成于上述基板上。

17．一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括准备在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷的基板的工序和在上述基板的上述表面上形成具有六方晶的结晶构造的半导体层的工序。

18．一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括准备基板的工序、在上述基板的表面上形成从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷的工序和在上述基板的上述表面上形成具有六方晶的结晶构造的半导体层的工序。

19．根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其特征在于形成上述凹陷的工序被执行，使得面方位为(1，-1，0，1)的面或与此等价的面成为上述凹陷的内表面。

20．根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其特征在于形成上述凹陷的工序是在以(0，0，0，1)面为主面的上述基板的上述主面上形成上述凹陷的底面形状为正三角形或正六边形的凹陷的工序。

21．根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于形成上述半导体层的工序是以上述凹陷的内表面为晶体生长面形成半导体层的工序。

22．根据权利要求21所述的半导体装置的制造方法，其特征在于形成上述半导体层的工序包括在与上述凹陷的上述内表面垂直的方向上使上述半导体层晶体生长的工序。