[发明专利]以反铁磁耦合的铁磁膜作为记录层的磁性记录介质

权利要求书

1．一种磁记录介质，包括：

一个基底；

位于基底上的磁性记录层，包括一个第一铁磁膜、位于第一铁磁膜上的非铁磁隔离膜和一个位于隔离物膜上的第二铁磁膜，第二铁磁膜经隔离膜反铁磁交换耦合到第一铁磁膜。

2．如权利要求1的介质，还包括一个处于第二铁磁膜上的第二非铁磁隔离膜和一个处于第二隔离膜上的第三铁磁膜，第三铁磁膜经第二隔离膜反铁磁交换耦合到第一铁磁膜。

3．如权利要求1的介质，其特征在于第一铁磁膜的厚度为t1，磁化强度为M1，第二铁磁膜的厚度为t2，磁化强度为M2，其中第一和第二铁磁膜单位面积的磁矩(M1×t1)和(M2×t2)彼此不同。

4．如权利要求3的介质，其特征在于第一和第二铁磁膜由同样的材料构成，其中t1不同于t2。

5．如权利要求3的介质，其特征在于第一和第二铁磁膜由不同的材料构成，其中t1基本上与t2相同。 

6．如权利要求1的介质，其特征在于隔离膜由选自钌(Ru)、铬(Cr)、铑(Rh)、铱(lr)、铜(Cu)及其合金的材料构成。

7．如权利要求1的介质，其特征在于第一和第二铁磁膜由选自Co，Fe，Ni及其合金的材料制成。

8．如权利要求1的介质，其特征在于第一铁磁膜包括一个界面膜，该界面膜由位于第一铁磁膜和隔离膜的界面处的钴组成。

9．如权利要求1的介质，其特征在于第二铁磁膜包括一个界面膜，该界面膜由位于第二铁磁膜和隔离膜的界面处的钴组成。

10．如权利要求1的介质，还包括一个位于基底和磁性记录层之间的基底上的垫层。

11．如权利要求1的介质，还包括一个形成于磁性记录层上的保护涂层。

12．一种磁性记录盘，包括：

一个基底；

一个基底上的垫层；

一个位于垫层上的磁性记录层，包括一个第一钴合金铁磁膜；形成在第一铁磁膜上并与其接触的、选自钌(Ru)、铬(Cr)、铑(Rh)、铱(lr)、铜(Cu)及其合金的材料的非铁磁隔离膜；和形成在隔离膜上并与其接触的第二钴合金铁磁膜；隔离膜的厚度足以诱使第二铁磁膜经隔离膜反铁磁交换耦合到第一铁磁膜；

以及一个保护涂层形成在磁性记录层上。

13．如权利要求12的盘，其特征在于第一铁磁膜是一个具有多个磁畴的粒状膜，每个磁畴包含多个磁粒，其中第二铁磁膜是一个具有多个磁畴的粒状膜，每个磁畴保护多个磁粒，其中第二铁磁膜中磁畴的磁矩通过隔离膜直接反平行反铁磁耦合到第一铁磁膜中相关的磁畴的磁矩。

14．如权利要求12的盘，还包括形成在第二铁磁膜上并与其接触的第二非铁磁隔离膜和形成在第二隔离膜上并与其接触的第三铁磁膜，第二隔离膜的厚度足以诱使第三铁磁膜经第二隔离膜反铁磁交换耦合到第一铁磁膜。

15．如权利要求12的盘，其特征在于第一铁磁膜的厚度为t1，磁化强度为M1，第二铁磁膜的厚度为t2，磁化强度为M2，其中第一和第二铁磁膜单位面积的磁矩(M1×t1)和(M2×t2)彼此不同。

16．如权利要求15的介质，其特征在于第一和第二铁磁膜由同样的材料构成，其中t1不同于t2。

17．如权利要求15的介质，其特征在于第一和第二铁磁膜由不同的材料构成，其中t1基本上与t2相同。

18．如权利要求15的介质，其特征在于第一铁磁膜包括一个界面膜，该界面膜由位于第一铁磁膜和隔离膜的界面处的钴组成。

19．如权利要求15的介质，其特征在于第二铁磁膜包括一个界面膜，该界面膜由位于第二铁磁膜和隔离膜的界面处的钴组成。