[发明专利]激光装置和激光退火方法

权利要求书

1．一种激光装置，包括：

一个激光源；

用于将发射自激光源的激光束导引到被处理物体的上表面和后表面上的一个光学系统；和

一个用于支持所述物体的平台，

其中所述激光装置进一步包括位于所述物体和所述平台之间的反射器，且要被导引到物体的后表面上的激光束在到达物体的后表面之前在反射器处被反射。

2．依照权利要求1的激光装置，其中反射器对激光束的反射率的范围为20-80％。

3．依照权利要求1的激光装置，其中激光束由光学系统整型为具有线性横截面。

4．一种激光装置，包括：

一个激光源；和

一个用于将发射自激光源的激光束导引到被处理物体的上表面和后表面上的光学系统，

其中所述光学系统包括用于减小要被导引到物体的上表面上的激光束的能量密度或要被导引到物体的后表面上的激光束的能量密度的滤光片。

5．依照权利要求4的激光装置，其中激光束由光学系统整型为具有线性横截面。

6．一种激光退火方法，包括：

用第一激光照射物体的上表面；和

用第二激光照射物体的后表面，

其中应用于上表面的第一激光的有效能量强度Io设置到与应用于后表面的第二激光的有效能量强度Io＇不同的量级。

7．依据权利要求6的方法，进一步包括对第一激光和第二激光进行线性整型的步骤。

8．依据权利要求6的方法，其中物体是非晶半导体膜或微晶半导体膜。

9．一种激光退火方法，包括：

用第一激光照射物体的上表面；和

用第二激光照射物体的后表面，

其中应用于上表面的第一激光的有效能量强度Io与应用于后表面的第二激光的有效能量强度Io＇满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。

10．依据权利要求9的方法，进一步包括对第一和第二激光进行线性整型的步骤。

11．依据权利要求9的方法，其中所述物体是非晶半导体膜或微晶半导体膜。

12．一种激光退火方法，包括以下步骤：

从作为共振源的激光源中产生激光；和

使用所述激光照射一物体的上表面和后表面，

其中应用于物体后表面的激光在到达物体后表面之前，被放置在物体后表面一侧的反射器反射。

13．依据权利要求12的方法，进一步包括对第一和第二激光进行线性整型的步骤。

14．依据权利要求12的方法，其中所述物体是非晶半导体膜或微晶半导体膜。

15．一种激光退火方法，包括以下步骤：

从作为共振源的激光源中产生激光；和

使用所述激光照射一物体的上表面和后表面，

其中应用于物体后表面的激光在到达物体后表面之前，被放置在物体后表面一侧的反射器反射，和

应用于上表面的激光束的有效能量强度Io设置到与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io＇不同的量级。

16．依据权利要求15的方法，进一步包括对第一和第二激光进行线性整型的步骤。

17．依据权利要求15的方法，其中所述物体是非晶半导体膜或微晶半导体膜。

18．一种激光退火方法，包括以下步骤：

从作为共振源的激光源中产生激光；和

使用所述激光照射一物体的上表面和后表面，

其中应用于物体后表面的激光在到达物体后表面之前，被放置在物体后表面一侧的反射器反射，和

应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io＇满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。

19．依据权利要求18的方法，进一步包括对第一和第二激光进行线性整型的步骤。

20．依据权利要求18的方法，其中所述物体是非晶半导体膜或微晶半导体膜。