[发明专利]低温度系数参考电流源产生电路无效

专利信息
申请号: 00123710.1 申请日: 2000-08-31
公开(公告)号: CN1340750A 公开(公告)日: 2002-03-20
发明(设计)人: 庄达昌 申请(专利权)人: 凌阳科技股份有限公司
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46;G05F3/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 温度 系数 参考 电流 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种低温度系数参考电流源产生电路,其特征在于,主要包括:

一用以产生能带间隙参考电压源的电路,其提供一低温度系数的能带间隙参考电压及一正温度系数的电流;

一电压追随器,是产生追随该低温度系数能带间隙参考电压的电压,以驱动一具有正温度系数的电阻,而产生一负温度系数的电流;以及

一电流镜电路,以将该正温度系数的电流及负温度系数的电流作比例组合,而获致一低温度系数的参考电流。

2.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流源产生电路,其特征在于,其中该电压追随器是由两闸极相连的MOS晶体管所构成。

3.根据权利要求2所述的低温度系数参考电流源产生电路,其特征在于,其中该正温度系数的电阻是为集成电路内部的电阻。

4.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流源产生电路,其特征在于,其中该电流镜电路包括:

第一电流镜,以将该正温度系数的电流做比例放大;以及

第二电流镜,以将该负温度系数的电流做比例放大。

5.根据权利要求4所述的低温度系数参考电流源产生电路,其特征在于,其中该第一电流镜是由两MOS晶体管所构成。

6.根据权利要求4所述的低温度系数参考电流源产生电路,其特征在于,其中该第二电流镜是由两MOS晶体管所构成。

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