[发明专利]纳米硅基氧化物改性铅蓄电池的制造方法无效
| 申请号: | 00122188.4 | 申请日: | 2000-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN1337751A | 公开(公告)日: | 2002-02-27 |
| 发明(设计)人: | 黄海;刘景春;关君正 | 申请(专利权)人: | 舟山明日纳米材料有限公司 |
| 主分类号: | H01M4/16 | 分类号: | H01M4/16;H01M4/62 |
| 代理公司: | 浙江省专利事务所 | 代理人: | 马士林 |
| 地址: | 316101 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 氧化物 改性 蓄电池 制造 方法 | ||
1、一种纳米硅基氧化物改性铅蓄电池的制造方法,按照常规工艺制成包括正负极板、电池槽、隔离物和电解液的铅蓄电池,其特征在于所说的极板是由粉末状活性物质的铅粉和纳米硅基氧化物制成的涂膏式粉末多孔极板;在铅膏配制过程中,加水和酸液之前加入纳米硅基氧化物,并充分拌匀,然后依传统制作正极板、负极板,其中:按重量比
粉末状活性物质的铅粉为 90-98.5%
纳米硅基氧化物为 1.5-10%。
2、根据权利要求1所述的纳米硅基氧化物改性铅蓄电池的制造方法,其特征在于所说铅粉的细度为10μm-20μm。
3、根据权利要求1所述的纳米硅基氧化物改性铅蓄电池的制造方法,其特征在于所说的纳米硅基氧化物,其原始粒径<100nm,比表面积>300m2/g。
4、根据权利要求1所述的纳米硅基氧化物改性铅蓄电池的制造方法,其特征在于所说的纳米硅基氧化物,其平均粒径为10±5nm。
5、根据权利要求1所述的纳米硅基氧化物改性铅蓄电池的制造方法,其特征在于所说的纳米硅基氧化物为NMSiO2-x,x所指的氧原子配位短缺数为0.4-0.8。
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