[发明专利]半导体工件处理装置及方法

权利要求书

1．一种晶片处理装置，特征在于包括：

处理室；

吸盘(104)，设置在所述处理室(100)中用于支撑晶片；

与所述吸盘间隔开的底座(102)；

第一气体输送机构(109，110)，在所述吸盘和所述晶片之间提供第一气体层；

第二气体输送机构(118，120)，在所述底座和所述吸盘之间提供第二气体层；

第一压力控制器(112)，用于控制第一气体层(He)的压力；

第二压力控制器(122)，用于控制第二气体层(He)的压力；以及

控制电路(114)，用于控制所述第一压力控制器(112)，以控制第一气体层的压力，以便第一气体层处于相对于第一气体层的压力变化第一气体层的导热率基本上不变的压力范围内，还用于控制所述第二压力控制器(122)，以控制第二气体层的压力，由此控制传递到／来自所述底座的热量。

2．根据权利要求1的晶片处理装置，特征在于第一气体层(He)为氦气体层，第二气体层为氦气体层。

3．根据权利要求1的晶片处理装置，特征在于所述控制电路(114)控制所述第一压力控制器(112)，以使第一气体层保持在约2乇到约10乇的压力范围内。

4．根据权利要求1的晶片处理装置，特征在于所述控制电路(114)控制所述第二压力控制器(122)，使第二气体层保持在约2乇到约10乇的压力范围内。

5．根据权利要求1的晶片处理装置，特征在于还包括：

设置至少一个温度传感器(130)，以检测所述吸盘(104)的温度，并将温度信号提供到所述控制电路(114)，其中

根据由至少一个温度传感器(130)提供的温度信号，所述控制电路(114)控制所述第二压力控制器(122)。

6．根据权利要求5的晶片处理装置，特征在于所述控制电路(114)还包括：

存储器，存储由至少一个温度传感器(130)检测到的所述吸盘(104)的温度与支撑在所述吸盘上的晶片的温度之间关系的数据。

7．一种晶片处理方法，包括以下步骤：

将晶片放置在设置在处理室(100)内的吸盘(104)上；

在所述晶片和所述吸盘(104)之间提供第一气体层；

在所述吸盘和底座(102)之间的空间中提供第二气体层；

将第一气体层的压力控制在相对于第一气体层的压力变化第一气体层的导热率基本上不变的压力范围内；以及

控制第二气体层的压力，以控制传递到／来自所述底座的热量。

8．根据权利要求7的晶片处理方法，特征在于第一气体层为氦层，第二气体层为氦层。

9．根据权利要求7的晶片处理方法，特征在于还包括以下步骤：

测量所述吸盘(104)的温度，其中

根据所述吸盘的测量温度控制第二气体层的压力。

10．一种控制电路(114)，用于控制晶片处理装置(100)，所述晶片处理装置包括处理室，设置在所述处理室中用于支撑晶片的吸盘(104)，与所述吸盘间隔开的底座(102)，第一气体输送机构(109，110)，在所述吸盘和所述晶片之间提供第一气体层，第二气体输送机构(118，120)，在所述底座和所述吸盘之间提供第二气体层，第一压力控制器(112)，用于控制第一气体层(He)的压力，第二压力控制器(122)，用于控制第二气体层(He)的压力，所述控制电路(114)，用于控制所述第一压力控制器(112)，以控制第一气体层的压力，以便第一气体层的压力处于相对于第一气体层的压力变化第一气体层的导热率基本上不变的压力范围内，所述控制电路(114)控制所述第二压力控制器(122)，以控制第二气体层的压力，由此控制传递到／来自所述底座的热量。

11．根据权利要求10的控制电路，特征在于根据来自设置以检测所述吸盘(104)的温度的温度传感器的温度信号，所述控制电路(114)控制所述第二压力控制器(122)。

12．根据权利要求11的控制电路，还包括存储所述吸盘(104)的温度与支撑在所述吸盘上的晶片的温度有关的数据的存储器。