[发明专利]制冷晶体的封装方法无效

专利信息
申请号: 00121521.3 申请日: 2000-08-09
公开(公告)号: CN1337748A 公开(公告)日: 2002-02-27
发明(设计)人: 陈聪智 申请(专利权)人: 陈聪智
主分类号: H01L35/18 分类号: H01L35/18;H01L35/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平,朱黎光
地址: 台湾省桃园*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 制冷 晶体 封装 方法
【说明书】:

发明涉及一种晶体的封装方法,尤指一种特殊锑铋IC致冷晶体的封装方法。

现知的特殊锑铋IC其有两端极性温差的特性,因此常应用于太空科技上(如太空梭的隔热晶片),但随着其技术转移于一般工业产品上,要如何达到现今产品自动化大量生产的需求,是目前产业上面临的重要课题。

特殊锑铋IC制成致冷晶体的封装方法,以目前技术层面而言,采用人工封装方法虽可达成,但其制造成本高、浪费人力,生产品质不易控制造成合格率偏低,无法大量生产等缺弊。

本发明的主要目的在于提供一种制程时间短,可大量生产、品质合格率高的致冷晶体封装方法。

本发明的上述目的是由如下技术方案来实现的。

一种致冷晶体的封装方法,是包括下列步骤:

(1)由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板;

(2)该上、下基板予以网版印刷制成多个等距分布的导电胶;

(3)以金属导片排置于预设排置盘中导引贴附定位于该导电胶上,且金属导片上并施以涂布一层助焊剂;

(4)分别取不同极性的锑铋晶粒排置于预设排置盘中导引排置接着定位于下基板上贴附的金属导片两端,以形成各相邻的金属导片上接着的锑铋晶粒呈现不同极性对应排置:

(5)下基板上排置定位的锑铋晶粒实施探针极性测试,以辨识及筛选正确锑铋晶粒排置位置;

(6)取上基板对合下基板压制成共结的致冷晶体;

(7)共结的致冷晶体予以烘乾处理制成成品。

藉此上述步骤程序,使上基板及下基板间以形成多个锑铋晶粒正、负极交错排置串联桥接导通的致冷晶体。

本发明的优点在于:

本发明所提供的晶粒组配方法,以网版印刷能一次完成导电胶多工作业,及以预设排置盘引导金属导片快速定位,能有效缩短制程时间,且锑铋晶粒预设排置盘快速引导排置上板及有效辨识及筛选正确锑铋晶粒排置位置的方式,亦可避免人工误辨视的错误,杜绝后制程无法返工的问题,大幅提升封装合格率,具有降低制造成本的功效。

兹就本发明的致冷晶体的封装方法,结合附图及实施例详加说明如下:

附图说明:

图1所示为本发明致冷晶体的封装方法流程图。

图2所示为本发明致冷晶体的上基板及下基板展开示意图。

图3所示为本发明致冷晶体的部份组件分解示意图。

图4所示为本发明致冷晶体的部份组件剖面示意图。

图5所示为本发明致冷晶体成品状态的立体示意图。

本发明封装方法的步骤:

(1)由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板;

(2)该上、下基板予以网版印刷制成多个等距分布的导电胶;

(3)以金属导片排置于预设排置盘中导引贴附定位于该导电胶上,且金属导片上并施以涂布一层助焊剂;

(4)分别取不同极性的锑铋晶粒排置于预设排置盘中导引排置接着定位于下基板上贴附的金属导片两端,以形成各相邻的金属导片上接着的锑铋晶粒也呈不同极性对应排置:

(5)下基板上排置定位的锑铋晶粒实施探针极性测试,以辨识及筛选正确锑铋晶粒极性排置位置;

(6)取上基板对合下基板压制成共结的致冷晶体;

(7)共结的致冷晶体予以烘乾处理制成成品。

如图1所示是本发明致冷晶体的封装方法流程图。

于步骤701中,是以由陶瓷与树脂材料合制成上基板2及下基板3。

于步骤702中,是以上基板2及下基板3内面予网版印刷形成多个等距预设位置分布的导电胶5,由图2及图3所示得知,该上基板2上导电胶5位置与下基板3上导电胶5位置是呈桥接交错对应分布。

于步骤703中,是将金属导片4利用振动自动进料装置导进暂存排置盘中,以令排置盘中金属导片4得快速排置对应安置于上基板2及下基板3的导电胶5位置上贴附定位,同时将上基板2及下基板3上粘固的每片金属导片4表面涂布一层助焊剂6。

于步骤704中,是将不同极性的正、负极锑铋晶粒1、1’分别利用振动自动进料装置导进暂存排置盘中,使该排置盘中存放不同极性的正、负极锑铋晶粒1、1’得快速分别排置接着定位于下基板3贴附金属导片4两端上,形成各相邻的金属导片4上接着的正、负极锑铋晶粒1、1’呈现不同极性对应排置(如图2所示)。

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