[发明专利]彩色阴极射线管装置

说明书

本发明涉及到彩色阴极射线管装置，特别是涉及减轻画面四周电子束光点的椭圆畸变，显示品质良好的图像的彩色阴极射线管装置。

现在被广泛使用的彩色阴极射线管装置是装有BPF(Bi-Potential Focus)型动态象散现象修正与聚焦(DAC ＆ F；即Dynamic Astigmatism Correction and Focus)方式的电子枪结构体的自会聚、一列型彩色阴极射线管装置。

该BPF型DAC ＆ F方式的电子枪结构体如图16所示，由被配置在一列上的3个阴极K、从这些阴极K起在朝荧光屏方向上按顺序配置的第1栅极G1、第2栅极G2、第3栅极G3的2个分电极G31、G32及第4栅极G4构成。各栅极都有着对应于3个阴极K形成的一列配置的3个电子束通孔。

在阴极K上施加约150V的电压与视频信号的重叠电压，第l栅极G1接地，第2栅极G2上施加约600V的电压，第3栅极的第1分电极G3l上施加约6kV的直流电压，第3栅极的第2分电极G32上施加有随着电子束偏转量的增大而上升的抛物线状交流电压分量Vd与约6kV直流电压重叠的动态电压。

电子束发生部由阴极K、第1栅极Gl及第2栅极G2构成，发生电子束并形成相对于主透镜的物点。予聚焦透镜由第2栅极G2及第1分电极G31构成，将电子束发生部发生的电子束予聚焦。BPF型主透镜由第2分电极G32及第4栅极G4构成，朝着荧光屏加速予聚焦的电子束，最后聚焦在荧光屏上。

当电子束偏转到荧光屏的角落部时，第2分电极G32和第4栅极G4间的电位差为最小，在它们之间形成的主透镜的强度最弱。同时在第1分电极G31和第2分电极G32之间形成最大的电位差，并形成在水平方向上有聚焦作用、在垂直方向上有发散作用的4极透镜，这时4极透镜的强度为最强。

当电子束偏转到荧光屏的角落部时，从电子枪结构体到荧光屏的距离为最大，像点变远。上述BPF型DAC ＆ F方式的电子枪结构体对于像点变远的情况可用减弱主透镜强度的方法来补偿。另外，由于偏转线圈的枕形水平偏转磁场以及桶形垂直偏转磁场而发生的偏转像差可用形成4极透镜的方法补偿。

为了提高彩色显象管的画面质量，需要改良在荧光屏上的聚焦特性及电子束光点的形状。但是，在已有的一列型彩色阴极射线管装置中，如图17所示，荧光屏中央部的电子束光点1是圆形的，而从水平轴(X轴)端到对角轴(D轴)端的周边部的电子束光点1由于偏转像差的原因，水平轴(X轴)方向上发生畸变，形成长椭圆状(横向变形)，并且在垂直轴(Y轴)方向上出现渗出2，影响画面质量。

为了解决这个问题，上述BPF型DAC ＆ F方式的电子枪结构体对形成主透镜的低电压侧栅极采用如第3栅极G3那样的多个分电极形成的结构，在这些分电极之间形成可以根据电子束的偏转量使透镜强度动态变化的4极透镜，借助于此，可以如图18所示，消除在电子束光点1的渗出。

但是，即使在BPF型DAC ＆ F方式的电子枪结构体上，也如图18所示从荧光屏的水平轴(X轴)端到对角轴(D轴)端的周边部的电子束光点1还会发生横向变形，造成这样的电子束光点1的横向变形的原因是将电子枪结构体作成一列型、将偏转线圈发生的水平偏转磁场作成枕形、垂直偏转磁场作成桶形。

现在利用图19A及图19B所示的光学模式来说明上述的电子束光点1的横向变形。图19A及B在管轴(Z)的上侧表示出垂直轴(Y)方向的截面、在其下侧表示出水平轴(X)方向的截面。图19A是电子束4不偏转直接射入荧光屏5中央部时的光学模式，图19B是偏转的电子束4射入荧光屏5周边部的情况下的光学模式。这里，ML是主透镜ML、QL是4极透镜、DL是由偏转磁场构成的4极透镜分量。

通常，荧光屏上的电子束光点1的大小由倍率M决定，该倍率M被表示为αO／αi，其中，αO是电子束4的发散角，而αi是射入荧光屏的入射角。因此，设水平方向的倍率为Mh1、垂直方向的倍率为Mv1，水平方向的发散角为αOh1、入射角为αih1，垂直方向的发散角为αOv1、入射角为αiv1，则表示为

 Mh1=αOh1／αih1

 Mv1=αOv1／αiv1因此当αOh1=αOv1时，在如图19A所示的无偏转时，主要利用在水平方向及垂直方向具有均等的聚焦作用的主透镜，使

αih1=αiv1