[发明专利]光纤稀土掺杂预制件的制造方法有效
| 申请号: | 00120094.1 | 申请日: | 2000-04-07 |
| 公开(公告)号: | CN1287979A | 公开(公告)日: | 2001-03-21 |
| 发明(设计)人: | K·坦卡拉 | 申请(专利权)人: | 斯佩克特恩公司 |
| 主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018;C03C13/04;G02B6/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 段承恩 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光纤 稀土 掺杂 预制件 制造 方法 | ||
1、一种制造光纤稀土掺杂预制件的方法,包括以下步骤:
在沉积温度下在二氧化硅基的衬底管的内表面沉积一个多孔二氧化硅烟灰层;
将该多孔二氧化硅烟灰层浸泡在至少含有一种稀土元素和一种共掺杂剂元素的浸泡溶液中,使该共掺杂剂元素优先送至该多孔二氧化硅烟灰层中所述稀土元素附近;
在干燥温度用氯气和惰性气体流干燥该多孔二氧化硅烟灰层,除去该浸泡溶液;
在氧化温度氧化所述稀土元素和所述共掺杂剂元素,形成稀土元素氧化物和共掺杂剂元素氧化物;和
烧结所述多孔二氧化硅烟灰层成为玻璃层。
2、根据利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中采用改进的化学汽相沉积工艺沉积所述多孔二氧化硅烟灰层。
3、根据利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述沉积温度范围在约1300℃-约1800℃。
4、如权利要求3的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述沉积温度约为1600℃。
5、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述稀土元素原子序数为57-71。
6、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述稀土元素选自Yb,Nd和Er中的一种。
7、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述稀土元素是可水溶或可醇溶的化合物的形式。
8、如权利要求7的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述稀土化合物是氯化物。
9、如权利要求8的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述稀土氯化物是选自YbCl36H2O,NdCl36H2O和ErCl36H2O中的一种。
10、如权利要求7的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述稀土化合物是硝酸盐。
11、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述共掺杂剂元素是用来改善所述稀土元素的溶解性的。
12、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述共掺杂剂元素是用来改善所述二氧化硅烟灰层的声子能的。
13、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述共掺杂剂元素选自Al,P,Ge和B中的一种。
14、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述共掺杂剂元素是可水溶或可醇溶的化合物的形式。
15、如权利要求14的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述共掺杂剂化合物是AlCl36H2O。
16、如权利要求14的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述共掺杂剂化合物是Al(NO3)39H2O。
17、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述浸泡步骤的持续时间应当足够长,以使所述多孔二氧化硅烟灰层中的所述浸泡溶液达到饱和量。
18、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述浸泡步骤的持续时间至少为0.5小时。
19、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述浸泡步骤的持续时间约为1小时。
20、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述干燥温度范围为600℃-1200℃。
21、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述干燥温度范围为800℃-1000℃。
22、如权利要求1的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述干燥步骤还包括用惰性气流初步干燥所述多孔二氧化硅烟灰层的步骤。
23、如权利要求22的制造光纤稀土掺杂预制件的方法,其中所述初步干燥步骤的持续时间为约0.5-约1小时。
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