[发明专利]射频主体线圈有效
| 申请号: | 00120084.4 | 申请日: | 2000-05-17 | 
| 公开(公告)号: | CN1274563A | 公开(公告)日: | 2000-11-29 | 
| 发明(设计)人: | E·B·波斯坎普;J·F·申克 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 | 
| 主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055;G01R33/38;G01R33/34 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 | 
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 主体 线圈 | ||
1.一种射频线圈,包括:
传递电流以建立B1磁场的第一和第二组主通路导体,所说第一组主通路导体与所说第二主通路导体基本平行地设置,并相对于所说射频线圈的中线对称,其中当所说电流流经所说第一组和第二组主通路导体中的每组时,在所说第一和第二组每一组中的电流幅值和所说设置在成像空间内产生的所说B1磁场具有所需的均匀性;和
在所说第一和第二组主通路导体之间传输所说电流的第一和第二返回通路导体,所说第一和第二返回通路导体对称地间隔在所说中线的每一侧,所说第一和第二环形导体设置在外部,比所说第一和第二组主通路导体更远地距离所说的中线,使得当通过所说电流给所说射频线圈供应能量时,在所说成像空间外部使所说B1磁场具有所需的灵敏度下降特性。
2.如权利要求1所述的射频线圈,其特征在于,所说第一和第二组主通路导体都在一个第一平面上,而所说第一和第二返回通路导体都在一个第二平面上,其中所说第一平面和所说第二平面实际间隔开。
3.如权利要求2所述的射频线圈,其特征在于,所说第一平面与所说第二平面实际间隔开,并且使所说返回通路导体具有这样的形状:当给所说射频线圈提供能量时在所说成像空间中产生所需的特定吸收比(SAR)。
4.如权利要求1所述的射频线圈,其特征在于,所说所需的灵敏度下降大于-10dB。
5.如权利要求4所述的射频线圈,其特征在于,所说第一和第二返回通路导体包括从含下述形状的组中选择的结构:弓形、矩形和方形。
6.如权利要求1所述的射频线圈,其特征在于,所说第一和第二组主通路导体中的每一组都包括平行电连接的至少两个导体。
7.如权利要求6所述的射频线圈,其特征在于,在所说第一和第二组主通路导体的每个主通路导体中,电流幅值随着距所说中线的距离增加而增加。
8.如权利要求6所述的射频线圈,其特征在于,所说至少两个导体具有实现所需均匀性的电流幅值比。
9.如权利要求1所述的射频线圈,其特征在于,所说所需的均匀性约为±6dB或更好。
10.如权利要求1所述的射频线圈,其特征在于,为实现所说所需的均匀性,应用Biot-Savart定律以确定:
所说第一和第二组主通路导体的每个导体到所说中线的距离;
在所说第一和第二组主通路导体的每个导体之间的电流幅值比;
所说第一和第二组主通路导体的每个导体到所说成像空间的距离;和
所说第一和第二返回通路导体的外部位置。
11.一种产生具有所需均匀性的磁场的方法,包括:
提供具有主通路导体和返回通路导体的射频线圈,其中主通路导体平行设置在射频线圈中线的每一侧,该主通路导体与该中线间隔开以产生所需的均匀性,并且返回通路导体设置在主通路导体的外部,以在成像空间的外部提供所需的灵敏度下降特性;和
依据Biot-Savart定律确定用于所需均匀性和所需灵敏度下降特性的磁场的主通路导体间隔和返回通路外部位置。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所说返回通路导体离开主通路导体以产生所需的均匀性和所需的灵敏度下降特性。
13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括用电流给射频线圈提供能量,还包括依据Biot-Savart定律确定用于所需均匀性的磁场的主通路导体的每个导体之间的电流幅值比。
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