[发明专利]制造光电器件的方法

权利要求书

1.一种光电器件，在其基片上具有像素部分和驱动电路，该光电器件包括：

所说驱动电路的n-沟道TFT，有至少一个LDD区，该LDD区的部分或全部将所说驱动电路的所说n-沟道TFT的栅极用插在它们之间的栅绝缘膜覆盖起来；

所说像素部分的像素TFT，有至少一个LDD区，该LDD区不用插在它们之间的栅绝缘膜覆盖所说像素TFT的栅极；和

包括第一布线和第二布线的布线，其中第一布线与所说像素TFT的所说栅极有相同的材料并且形成在同一层中，第二布线的电阻率比所说第一布线的低；

其中所说第一布线和所说第二布线是层叠的。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中n-型掺杂元素以高于所说像素TFT的所说n-沟道TFT的所说LDD区的2～10倍的浓度包含在所说驱动电路的所说n-沟道TFT的LDD区中。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其中所说驱动电路的所说n-沟道TFT的所说LDD区中含有的n-型掺杂元素，其浓度范围是2×10¹⁶至5×10¹⁹原子/cm³，其在所说像素TFT的所说LDD区中的浓度范围为1×10¹⁶至5×10¹⁸原子/cm³。

4.根据权利要求1所述的光电器件，其中所说布线是输入-输出信号布线或栅极布线。

5.根据权利要求1所述的光电器件，其中所说第二布线的电阻率是所说第一布线的电阻率的1/10～1/100。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其中所说第一布线的电阻率是10～500μΩcm，所说第二布线的电阻率是0.1～10μΩcm。

7.根据权利要求1所述的光电器件，其中所说第一布线包含从钽、钛、钼、钨、铬、铌和硅构成的组中选出来的一种元素，而第二布线包含从铝、铜和银构成的组中选出来的一种元素。

8.根据权利要求1所述的光电器件，其中在一沟道形成区和所说像素TFT的LDD区之间存在不重合区。

9.根据权利要求1所述的光电器件，其中该光电器件是从液晶显示器件和电致发光显示器件构成的组中选出来的一种显示器件。

10.根据权利要求9所述的光电器件，其中所说显示器件包括在从手提电话、摄象机、手提计算机、眼睛式显示器、前投影型放映机、背投影型放映机、个人计算机、游戏机、记录媒体和数码照相机构成的组中选出来的电子装置中。

11.一种光电器件，在其基片上具有像素部分和驱动电路，该光电器件包括：

所说驱动电路具有第一n-沟道TFT和第二n-沟道TFT，其中第一n-沟道TFT中全部LDD区将栅极用插在它们之间的栅极绝缘膜覆盖起来，第二n-沟道TFT中部分LDD区将栅极用插在它们之间的栅极绝缘膜覆盖起来；

所说像素部分具有一个像素TFT，其中一个LDD区不用插在它们之间的栅绝缘膜覆盖所说像素TFT的栅极；和

包括第一布线和第二布线的布线，其中第一布线与所说像素TFT的所说栅极有相同的材料并且形成在同一层中，第二布线的电阻率比所说第一布线的低；

其中所说第一布线和所说第二布线是层叠的。

12.根据权利要求11所述的光电器件，其中n-型掺杂元素以高于所说像素TFT的所说n-沟道TFT的所说LDD区的2～10倍的浓度包含在所说驱动电路的所说第一n-沟道TFT的所说LDD区和/或所说第二n-沟道TFT的所说LDD区中。

13.根据权利要求11所述的光电器件，其中所说驱动电路的所说第一n-沟道TFT的所说LDD区和所说第二n-沟道TFT的所说LDD区中含有的n-型掺杂元素的浓度范围是2×10¹⁶至5×10¹⁹原子/cm³，而在所说像素TFT的所说LDD区中的浓度范围为1×10¹⁶至5×10¹⁸原子/cm³。

14.根据权利要求11所述的光电器件，其中所说布线是输入-输出信号布线或栅极布线。