[发明专利]一种自清洁玻璃及其制备方法无效
| 申请号： | 00115361.7 | 申请日： | 2000-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1101353C | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 杨锡良;章壮健;沈杰;陈华仙;张永熙;董昊 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自清洁玻璃，以通常的玻璃为基板，其特征在于该玻璃基板上直接由磁控溅射法镀有厚度为500nm或340nm的二氧化钛膜层。
2.一种自清洁玻璃的制备方法，以通常的玻璃为基板，镀上100nm-1000nm的二氧化钛膜层，具体步骤如下：
(1)将玻璃基板清洗干净后放入真空镀膜室内，玻璃基板与磁控溅射靶的距离为3-15cm，溅射靶钛板的表面磁场强度为200-500高斯；
(2)镀膜室的本底抽真空，到2.66×10-3Pa以下，充入氩气和氧气，控制氧、氩的流量比为1∶9到1∶0，并使镀膜式内保持10-2Pa数量级的动态平衡压强。
(3)调节主阀，使镀膜室内达到溅射所需的总压强，其范围为1.33×10-1Pa～13.3Pa。
(4)溅射镀膜时，调节溅射电压为-500V～-800V，溅射电流为100mA～600mA，基板温度为室温到500℃范围，膜的沉积速率控制在1nm/min到30nm/min。
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