[发明专利]薄膜电阻器的制造方法

权利要求书

1．一种薄膜电阻器的制造方法，包括以下各步骤：

提供一绝缘基板；

以非光刻法在该绝缘基板上方形成一导体图案层；

在该导体图案层与该绝缘基板上形成一薄膜电阻层；

以光刻法将该薄膜电阻层图案化。

2．如权利要求1所述的制造方法，其中该绝缘基板选自于由玻璃绝缘基板与陶瓷绝缘基板所构成的群组。

3．如权利要求1所述的制造方法，还包括以下步骤：

在形成该导体图案层于该绝缘基板上之前，在该绝缘基板上形成一平坦层。

4．如权利要求3所述的制造方法，其中该平坦层的形成方法选自于由热蒸镀法、电子束蒸镀法、化学气相沉积法、等离子加强型化学气相沉积法、以及物理气相沉积法所构成的群组。

5．如权利要求3所述的制造方法，其中该平坦层是由厚膜方法所形成。

6．如权利要求1所述的制造方法，其中该非光刻法为网版印刷法。

7．如权利要求1所述的制造方法，其中该导体图案层的材料选自于由银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍、以及镍合金所构成的群组。

8．如权利要求1所述的制造方法，其中该薄膜电阻层的厚度为介于100至1000埃之间。

9．如权利要求1所述的制造方法，其中该薄膜电阻层的材料选自于由氮化钽电阻材料、硅化钽电阻材料、钽铬合金电阻材料、镍铬合金电阻材料、硅化铬电阻材料以及上述电阻材料与序数较高的金属合金所构成的群组。

10．如权利要求1所述的制造方法，其中该薄膜电阻层的形成方法选自于由热蒸镀法、电子束蒸镀法、化学气相沉积法、等离子加强型化学气相沉积法以及物理气相沉积法所构成的群组。

11．如权利要求1所述的制造方法，还包括以下步骤：

在已图案化的薄膜电阻层上，以激光修整法调整其电阻值。

12．如权利要求1所述的制造方法，其中以光刻法将该薄膜电阻层图案化，同时调整要图案化的该薄膜电阻层的电阻值。