[发明专利]电解铜电镀液

权利要求书

1.一种铜电镀组合物，其包括：

至少一种可溶性铜盐，

一种电解质，和

一种或多种光亮剂化合物，它们在电镀组合物中的浓度为每升电镀组合物至少含有约1.5mg。

2.权利要求1的组合物，其中光亮剂的浓度为每升电镀组合物至少含有约2mg。

3.权利要求1的组合物，其中光亮剂的浓度为每升电镀组合物至少含有约4mg。

4.权利要求1的组合物，其中光亮剂的浓度为每升电镀组合物至少含有约10mg。

5.权利要求1的组合物，其中光亮剂的浓度为每升电镀溶液至少含有约25mg。

6.权利要求1的组合物，其中一种或多种光亮剂化合物含有一个或多个硫原子。

7.权利要求1的组合物，其中一种或多种光亮剂化合物含有一个或多个硫化物或磺酸基团。

8.权利要求1的组合物，其中一种或多种光亮剂化合物含有结构式为R′-S-RSO₃基团，其中R是一个任选的取代烷基、任选的取代杂烷基、任选的取代芳基，任选的取代杂芳基，或任选的取代杂脂环族的基团；R′是氢或化学键。

9.权利要求1的组合物，其中该组合物还含有一种抑制剂。

10.权利要求9的组合物，其中抑制剂是一种聚醚。

11.权利要求1的组合物，其中该组合物还含有一种流平剂。

12.权利要求1的组合物，其中该电镀组合物是酸性的。

13.一种电镀带有一个或多个小孔的电子设备基体的方法，该方法包括：

采用一种电镀组合物向该基体上电沉积铜，该电镀组合物包括至少一种可溶性铜盐、一种电解质和一种或多种光亮剂化合物，光亮剂在电镀组合物中的浓度为每升电镀组合物至少含有约1.5mg。

14.权利要求13的方法，其中该光亮剂的浓度为每升电镀液至少含有约2mg。

15.权利要求13的方法，其中该光亮剂的浓度为每升电镀液至少含有约10mg。

16.权利要求13的方法，其中基体是带有一个或多个微孔的印刷线路板基体或半导体。

17.权利要求16的方法，其中一个或多个微孔的纵横比至少为约4∶1和直径为至少约200纳米。

18.权利要求17的方法，其中铜沉积填入一个或多个微孔以保证铜板不存在空洞或夹杂物。

19.权利要求17的方法，其中该组合物还包括一种抑制剂。

20.权利要求13的方法，其中基体是微芯片模块基体。

21.一种包括带有一个或多个有侧壁小孔的电子设备基体制品，其中小孔壁上覆盖从电镀组合物中获得的电解铜沉积层，该电镀组合物包括至少一种可溶性铜盐、一种电解质和一种或多种光亮剂化合物，光亮剂在电镀组合物中的浓度为每升电镀组合物至少含有约1.5mg。

22.权利要求21的制品，其中基体是印刷线路板、微芯片模块基体，或半导体芯片基体。

23.权利要求21的制品，其中基体含有一个或多个带有纵横比至少为约4∶1和直径至少为约200纳米的微孔，一个或多个微孔的壁上覆盖没有空洞的铜沉积层。

24.采用化学机械极化法从半导体芯片除去过量物质的方法，该方法包括使半导体芯片与旋转抛光垫接触以从半导体芯片去除过量的物质，其中半导体芯片以前曾用铜电镀组合物电镀过，所述铜电镀组合物包括：

至少一种可溶性铜盐，

一种电解质，和

一种或多种光亮剂化合物，它们在电镀组合物中的浓度为每升电镀组合物至少含有约1.5毫克。

25.权利要求24的方法，其中所述抛光垫是凹沟的。

26.权利要求24的方法，其中所述半导体芯片也进行抛光料浆处理。

27.采用化学机械极化法从半导体芯片除去过量物质的方法，该方法包括使半导体芯片与旋转抛光垫接触以从半导体芯片去除过量的物质，其中半导体芯片以前曾用权利要求1的组合物电镀过。