[发明专利]可减少磁漏的阴极射线管装置

说明书

本发明涉及配有偏转系统的阴极射线管(CRT)装置，特别涉及减少从偏转系统泄漏的磁场的技术。

近年来，在北欧就与CRT装置产生的低频磁场有关的问题进行了研究。认为这样的磁场可能影响人的身体。尤其是在瑞典，已建立了例如MPR II和TCO标准等的标准，其目的是抑制从偏转系统泄漏或特别是从水平偏转线圈泄漏的磁场。以下将从偏转系统或从水平偏转线圈泄漏的磁场称为“磁漏”。为了满足由那些标准规定的泄漏界限，应该对CRT装置进行必须的测量，以减少磁漏。

为了减少磁漏，已提出了一种技术。作为这种技术的一个实例，在与从偏转系统泄漏的磁场方向相反的方向上产生“抵消磁场”。为此，“抵消线圈”用于产生抵消磁场，以便抵消磁漏。

使用抵消线圈的CRT装置披露于日本专利申请特开平3-165428(称为第一现有技术)和特开平6-176714(称为第二现有技术)中。

对于在第一现有技术中公开的CRT装置来说，用于减少磁漏的抵消线圈设置于偏转系统的上部，并且将电流提供给抵消线圈以便产生抵消磁场。图1表示第一现有技术的水平偏转线圈27和抵消线圈28的示意性电路图。

如图1所示，水平偏转线圈27和抵消线圈28串联连接。由于水平偏转电流流过抵消线圈28和水平偏转线圈27，因而抵消线圈28可产生随水平偏转线圈27的磁漏改变而改变的抵消磁场。抵消线圈28设置成可在适当的方向产生抵消磁场以抵消磁漏。

同时，对于在第二现有技术中公开的CRT装置来说，用于减少磁漏的抵消线圈由闭合的电路绕组构成并设置于CRT的各上部和下部以便面对偏转系统。图2表示第二现有技术的水平偏转线圈37和抵消线圈38的示意性电路图。

如图2所示，由闭合的电路绕组构成的抵消线圈38面对偏转系统37地设置。利用这种结构，在抵消线圈38中产生随从水平偏转磁场产生的磁漏改变而改变的电动势。利用该电动势，抵消线圈38在适当方向上产生抵消磁场以抵消磁漏。

可是，使用分别在第一和第二现有技术中所述技术的CRT装置存在下列问题。

就第一现有技术而言，偏转电流需要流过对水平偏转没有贡献的抵消线圈28。因而不必要地消耗功率，并且除此之外，偏转灵敏度可能被降低。

就第二现有技术而言，不必对抵消线圈38供电，因而没有第一现有技术中的问题。可是，第二现有技术存在另外的问题。如果从偏转系统泄漏的磁场对人体有害，那么应该减少CRT面板前面的磁漏，这是用户最期望的。可是，抵消线圈38设置在CRT的上部和下部并且面对偏转系统，以便在最要求减少磁漏的重要位置可有效地减少磁漏。为了减少在该位置的磁漏，可减少形成抵消线圈38的匝数。然而，抵消线圈38匝数的减少本身还对水平偏转磁场产生不利影响。

如同磁漏一样，电场泄漏也要符合瑞典MPR II和TCO标准。电场泄漏主要是由于包括在偏转系统中的相面对的偏转线圈之间的电压差产生的电场被泄漏到外部。在例如日本专利申请特开平5-207404(称为第三现有技术)中披露了可减少这种电场泄漏的技术。

对于在第三现有技术中披露的CRT装置来说，配置反向的电压供给装置，以提供具有与施加给偏转线圈的偏转电压波形的极性相反的极性的电压。此外，电极设置在面板侧的CRT内壁的顶部和底部。反向电压供给装置对该对电极提供反向的电压。这能够使电极产生其极性与VLMF(极低磁场)泄漏(即，不希望的VLMF泄漏)相反的电场。具有相反极性的电场可抵消不希望的VLMF泄漏。

可是，使用第三现有技术的技术，还需要提供反向电压供给装置。除此之外，用该技术不能减少磁漏。

因此，本发明的第一目的是提供一种低成本的具有简单结构的可防止不希望的功率消耗和减少磁漏的CRT装置。

本发明的第二目的是提供一种低成本的具有简单结构的可防止不希望的功率消耗和减少磁漏和电场泄漏的CRT装置

用下列结构的阴极射线管装置可实现本发明的第一目的，该阴极射线管装置包括：具有面板和锥体的阴极射线管；设置在锥体的颈部内且将电子束发射到面板内表面上的电子枪；设置于锥体上颈部并使电子枪发射的电子束偏转的偏转系统；和抵消线圈，该抵消线圈具有至少一个闭合环线圈且与偏转系统的磁漏磁链接，并产生在一个方向上的磁场以便抵消磁漏，其中各闭合环线圈设置在第一位置或第二位置，第一位置在阴极射线管的顶部，闭合环线圈的一部分沿面板有效显示区域的顶部边缘设置，第二位置在阴极射线管的底部，并且闭合环线圈的一部分沿所述有效显示区域的底部边缘设置。