[发明专利]双型薄膜场效应晶体管及其应用

权利要求书

1．一种微电子器件，包括：

适合于接受输入电压的栅极层；

在栅极层上形成的绝缘层；

在绝缘层上形成在源和漏之间传送电流的导电沟道层；和

导电沟道层适合于构成双沟道，双沟道既包含p沟道又包含n沟道，其中响应输入电压可选择地启动p沟道和n沟道其中之一。

2．权利要求1的器件，其中栅极层包括凹栅极结构。

3．权利要求1的器件，其中导电沟道层包括莫特(Mott)绝缘体材料。

4．权利要求1的器件，其中导电沟道层包括YBa₂Cu₃O_7—δ，式中δ是在大约0和大约1之间。

5．权利要求1的器件，其中栅极层包括掺有铌的锶钛氧化物。

6．权利要求1的器件，其中绝缘层包括锶钛氧化物。

7．权利要求1的器件，其中响应负的输入电压，形成p沟道和响应正的输入电压，形成n沟道。

8．权利要求1的器件，其中响应负的输入电压，p沟道包括空穴累积层。

9．权利要求1的器件，其中响应正的输入电压，n沟道包括电子累积层。

10．如权利要求1所述的器件，其中微电子器件包括薄膜晶体管。

11．一种电路，包括：

具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管；

该薄膜晶体管包括用于形成栅极的栅极层、栅极适合于接收输入电压；

在栅极层上形成的绝缘层；

在绝缘层上形成的在源和漏之间传送电流的导电沟道层；和

导电沟道层适合于构成双沟道，双沟道既包括p沟道又包括n沟道，其中响应输入电压可选择地启动p沟道和n沟道中之一。

12．权利要求11的电路，其中栅极包括凹栅极结构。

13．权利要求11的电路，其中源和漏之一与负载连接而源和漏中另一个与交流电压连接，以使薄膜晶体管整流在负载上的交流电压。

14．权利要求11的电路，其中导电沟道层包括莫特绝缘体材料。

15．权利要求11的电路，其中导电沟道层包括YBa₂Cu₃0_7—δ，式中δ是在大约0和大约1之间。

16．权利要求11的电路，其中栅极层包括掺有铌的锶钛氧化物。

17．权利要求11的电路，其中绝缘层包括锶钛氧化物。

18．权利要求11的电路，其中响应负的输入电压形成p沟道和响应正的输入电压形成n沟道。

19．权利要求11的电路，其中响应负的输入电压，p沟道包括空穴累积层。

20．权利要求11的电路，其中响应正的输入电压，n沟道包括电子累积层。

21．权利要求11的电路，其中薄膜晶体管与发光二极管连接并驱动发光二极管。

22．一种形成双沟道晶体管的方法，包括步骤：

形成接收输入电压的栅极层；

在栅极层上沉积绝缘层；

在绝缘层上形成双沟道层；通过：

在绝缘层上外延沉积铜酸盐层；和

在还原环境中使铜酸盐层退火以形成基本上无缺陷的铜酸盐层以使双沟道既包括p沟道又包括n沟道，其中在工作期间响应输入电压可选择地启动p沟道和n沟道其中之一；和

在导电沟道层上形成源电极和漏电极。

23．如权利要求22所述的方法，其中形成栅极层的步骤包括使栅极层形成凹栅极结构的图形化步骤。

24．如权利要求22所述的方法，其中铜酸盐层包括莫特绝缘体材料。

25．如权利要求22所述的方法，其中铜酸盐层包括YBa₂Cu₃O_7—δ，式中δ是大约0和大约1之间。

26．如权利要求22所述的方法，其中形成栅极层的步骤包括使栅极层掺杂的步骤。