[发明专利]多发射区扩散层接触孔圆形构造

权利要求书

1、一种多发射区扩散层接触孔圆形构造，其於多边形(含圆形)的各个发射区扩散层上设有数条浅凹交集，以分割该发射区扩散层，而使其发射区扩散层接触孔更加变小而提高阻抗与金属接触，又该数条浅凹内设置由二氧化碳、氮化碳、磷碳玻璃所构成阻碍物质，使本发明可缩小半导体晶粒一半体积，因而可大幅降低生产成本；

2、依权利要求书第一项所述一种多发射区扩散层接触孔圆形构造，其可将具有不同深浅的发射区扩散层下方直角处削成弧形边缘，以防止电流集中。

3、依权利要求书第一项所述一种多发射区扩散层接触孔圆形构造，其也可於发射区浅凹两端各设一阻碍端点，或於浅凹交集点设一阻碍端点，以缓冲或抑制电流集中。