[发明专利]用于封装后DRAM修复的耐熔熔丝电路

权利要求书

1.一种集成电路，具有许多更换地址信号发生器，各自产生一个用于启动一个冗余存储位置的更换地址信号，以便更换有缺陷的存储单元，其特征在于包括：

一个程序地址发生电路，它响应测试模式信号和地址信号，产生一个程序地址信号；以及

许多耐熔熔丝单元电路，每个耐熔熔丝单元电路连接到上述每一个更换地址信号发生器，并且包括一个耐熔熔丝元件，在其中用程序地址信号来选择耐熔熔丝单元电路，并且用电压信号对选定的耐熔熔丝单元电路中所包含的耐熔熔丝元件编程，以便启动对应的更换地址发生器。

2.按照权利要求1的集成电路，其特征在于电压信号包括一个编程电压信号，一个外部电压信号和一个电源接通信号，并且进一步包括一个响应测试模式信号的内部功率发生器，用来产生编程电压信号。

3.按照权利要求2的集成电路，其特征在于耐熔熔丝单元电路中包括：

一个耐熔熔丝元件；

一个耐熔熔丝选择电路，用来在耐熔熔丝编程过程中响应程序地址和编程电压信号对耐熔熔丝元件编程，并且在耐熔熔丝状态读出操作中响应外部电压信号和电源接通信号而产生一个状态信号；

一个耐熔熔丝状态评定电路，用于在耐熔熔丝状态读出操作中响应外部电压信号和电源接通信号而产生一个稳定的状态信号；以及

一个锁存电路，用来锁存稳定的状态信号并且产生一个代表这一稳定的状态信号的锁存信号，将其提供给对应的更换地址信号发生器。

4.按照权利要求3的集成电路，其特征在于耐熔熔丝选择电路包括：

一个开关装置，它响应程序地址或是电源接通信号，用于为耐熔熔丝元件的一个端子提供外部电压信号；

用来向耐熔熔丝元件的另一端子提供作为负电压信号的编程电压信号的一个装置，以让耐熔熔丝元件两端的电压为在耐熔熔丝编程程序中的外部电压信号和编程电压信号的总和；以及

在耐熔熔丝状态读出操作中用来产生代表耐熔熔丝元件两端的电压的状态信号的装置。

5.按照权利要求3的集成电路，其特征在于耐熔熔丝选择电路包括：

一个开关装置，它响应程序地址为耐熔熔丝元件的一个端子提供地电压；

用来向耐熔熔丝元件的另一端子提供编程电压信号的一个装置，以让耐熔熔丝元件两端的电压为耐熔熔丝编程程序中的编程电压；以及

在耐熔熔丝状态读出操作中用来产生代表耐熔熔丝元件两端的电压的一个状态信号的装置。

6.按照权利要求4的集成电路，其特征在于耐熔熔丝评定电路中包括缓冲装置，它响应电源接通信号而接收状态信号，按照外部电压信号产生一个稳定的状态信号。

7.按照权利要求7的集成电路，其特征在于耐熔熔丝评定电路中包括缓冲装置，它响应电源接通信号而接收状态信号，按照外部电压信号产生一个稳定的状态信号。

8.按照权利要求6的集成电路，其特征在于电源接通信号中包括第一电源接通信号，第二电源接通信号和第三电源接通信号，并且其中的开关装置包括：

第一PMOS晶体管，它响应程序地址而有选择地向耐熔熔丝元件的上述一个端子提供外部电压信号；以及

第二PMOS晶体管，它响应第一电源接通信号而有选择地向耐熔熔丝元件的上述一个端子提供外部电压信号。

9.按照权利要求8的集成电路，其特征在于开关装置进一步包括：

第三PMOS晶体管，它响应第三电源接通信号而有选择地将外部电压信号旁路到地；以及

连接在第一和第二PMOS晶体管和耐熔熔丝元件的上述一个端子之间的第四PMOS晶体管，其栅极连接到地。

10.按照权利要求9的集成电路，其特征在于缓冲装置包括：

第五PMOS晶体管，它响应第一电源接通信号而有选择地提供外部电压信号；以及

第一和第二NMOS晶体管，它们各自响应第二电源接通信号和状态信号，按照状态信号提供作为稳定的状态信号的外部电压信号。

11.按照权利要求7的集成电路，其特征在于开关装置中包括一个NMOS晶体管，它响应程序地址将耐熔熔丝元件的另一个端子连接到地。

12.按照权利要求11的集成电路，其特征在于用来提供编程电压信号的装置中包括一个二极管，用来向耐熔熔丝元件的上述一个端子提供编程电压信号。